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EH5907-04C4-B431 按鍵切換開關(guān)芯片一、 功能說明上電不工作，2個按鍵輸入控制四路輸出。短按Key1依次為：Led1亮-Led2亮-Led3亮-關(guān)閉，循環(huán)。短按Key2：Led4亮-關(guān)閉，循環(huán)。2個按鍵單獨控制，互不干擾。二、 極限參數(shù)Supply voltage（VDD）……………….…….- 0.3V ~ 6.0VInput in voltage (Vin)…………………..……..-0.3V~VDD+0.3V Operating ambient temperature（Topr）……-10°C ~ 70°C Storage ambient temperature（Tstor） ……-20°C ~100°C三、 電氣參數(shù)（VDD=5.0V，VSS=0,TA=25℃）工作電壓

MASWSS0157是一款GaAs MMIC SPDT開關(guān)，采用無鉛SOIC 8引腳表面貼裝塑料封裝。該設(shè)備非常適合在需要低功耗的地方使用。典型應(yīng)用包括無線電和蜂窩設(shè)備、PCM、GPS、光纖模塊和其他電池供電無線電設(shè)備等系統(tǒng)中的發(fā)射/接收交換、開關(guān)矩陣和交換濾波器組。MASWSS0157是使用單片GaAs MMIC，采用成熟的1微米工藝制造的。該工藝具有全芯片鈍化功能，可提高性能和可靠性。特征·極低直流功耗：100μW·無鹵素“綠色”模塑料·銅上鍍100%啞光錫·無鉛SOIC-8封裝·納秒切換速度·甚高截獲點：45 dBm IP3·高隔離度：25 dB至2 GHz·低插入損耗：0.5 dB·260°C回流兼容·符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的SW-239版本應(yīng)用·無線網(wǎng)絡(luò)和通信

開關(guān)損耗檢測技術(shù)文章 開關(guān)損耗檢測技術(shù)詳解 1. 檢測介紹 開關(guān)損耗檢測是電力電子設(shè)備性能評估中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，主要用于量化開關(guān)器件（如MOSFET、IGBT等）在開關(guān)過程中產(chǎn)生的能量損失。開關(guān)損耗直接影響設(shè)備的效率、溫升和可靠性，因此精確檢測開關(guān)損耗對于優(yōu)化電路設(shè)計、提升能效和延長設(shè)備壽命具有重要意義。該檢測廣泛應(yīng)用于新能源發(fā)電、電動汽車、工業(yè)變頻器等高科技領(lǐng)域。#沉浸式曬谷子#2. 檢測范圍包含的樣品 開關(guān)損耗檢測覆蓋多種電力電子器件和系統(tǒng)，主要包括以下樣品（不少于十五個）：3. 檢測的項目 開關(guān)損耗檢測涉及多個關(guān)鍵參數(shù)，確保全面評估器件性能。主要檢測項目包括（不少于十五個）：4. 檢測所需方法信息 為實現(xiàn)精確的開關(guān)損耗檢測，需采用多種標(biāo)準(zhǔn)化和先進方法，包括（不少于十五個）：5. 檢測所需儀

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，深圳市嘉拓微科技有限公司取得一項名為“一種設(shè)有散熱結(jié)構(gòu)的電源芯片”的專利，授權(quán)公告號CN223816409U，申請日期為2025年2月。專利摘要顯示，本實用新型公開了一種設(shè)有散熱結(jié)構(gòu)的電源芯片，涉及電子元件技術(shù)領(lǐng)域。包括塑封外殼，塑封外殼中安裝有引線框架，且引線框架的兩側(cè)設(shè)有引腳，引線框架上設(shè)有焊盤，且焊盤上焊接有電源晶片，焊盤的底部安裝有內(nèi)均熱板，塑封外殼的底部嵌裝有導(dǎo)熱銅片，且導(dǎo)熱銅片的頂部通過導(dǎo)熱膏與內(nèi)均熱板的底部相貼合。該設(shè)有散熱結(jié)構(gòu)的電源芯片，在引線框架的焊盤底部設(shè)置有內(nèi)均熱板，在塑封外殼的頂部設(shè)置有外均熱板，根據(jù)均熱板的散熱特性，其能夠均勻分布電源晶片運行時的熱量，防止局部過熱，有助于提高電源晶片的安全性和使用壽命，通過導(dǎo)熱介質(zhì)將熱量傳導(dǎo)至外界環(huán)境中，實現(xiàn)

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，仝瑞半導(dǎo)體科技（上海）有限公司取得一項名為“一種可快速拆裝的芯片量產(chǎn)測試用插座”的專利，授權(quán)公告號CN223815386U，申請日期為2025年1月。專利摘要顯示，本實用新型提出一種可快速拆裝的芯片量產(chǎn)測試用插座，包括測試底座、浮動支座、芯片保持座和頂蓋，浮動支座底部滑動扣合于測試底座頂部的浮動凸部，緊貼浮動支座的上表面設(shè)有芯片保持座，緊貼所述芯片保持座的頂部設(shè)有頂蓋。本實用新型通過將頂蓋蓋設(shè)于芯片保持座上且向下按壓，直至頂蓋兩側(cè)所設(shè)扣件底部的扣齒與測試底座兩側(cè)的扣槽相扣合，在按壓過程中，待測芯片的引腳被配合插入引腳插孔支座上所設(shè)的引腳插孔中，從而實現(xiàn)待測芯片的裝配連接，裝配簡單。天眼查資料顯示，仝瑞半導(dǎo)體科技（上海）有限公司，成立于2021年，位于上海市，是一家以從

東科半導(dǎo)體自2020年以來持續(xù)深耕合封芯片領(lǐng)域，先后推出業(yè)內(nèi)首款全合封氮化鎵不對稱半橋產(chǎn)品、業(yè)界唯一的全合封高壓有源箝位反激（ACF）芯片、合封準(zhǔn)諧振（QR）反激芯片，以及高集成度的同步整流合封芯片系列，這些產(chǎn)品在簡化外圍器件、降低調(diào)試難度和控制成本上取得了成功 。通過將功率器件、驅(qū)動和控制器合而為一，可有效減少PCB面積和連線寄生，提升系統(tǒng)集成度與可靠性。在 3 月 28 日舉行的 2025（春季）亞洲充電展·亞洲充電大會上，東科半導(dǎo)體曾預(yù)告將推出全新的合封 PFC 芯片 DK83XX 系列。近日，首款產(chǎn)品 DK8318 正式發(fā)布，將 700V/101mΩ GaN 功率管與 CRM/DCM PFC 控制器高度集成于 ESOP16L 封裝，配合谷底導(dǎo)通、輸出電壓分段、輸入功率補償以及極低待機

還在使用傳統(tǒng)的撥動式開關(guān)方案嗎？開關(guān)機芯片GEK100系列0功耗、防誤觸及軟件硬關(guān)機功能助您的設(shè)備省電省費用更省心在無線鼠標(biāo)、無線鍵盤、遙控器、玩具、溫度計、額溫槍、血氧計等便攜式消費電子領(lǐng)域，開關(guān)作為設(shè)備的“啟停核心”，其性能、功耗、外觀與成本直接影響產(chǎn)品競爭力。長期以來，傳統(tǒng)撥動式開關(guān)因價格低廉、關(guān)機0功耗、操作直觀成為一些廠商的選擇，但隨著用戶對產(chǎn)品美觀度、小型化、防水及耐用程度、開關(guān)機可控化的要求提升，其弊端愈發(fā)凸顯。武漢廣昇科技推出的GEK100系列開關(guān)機芯片，搭配微動開關(guān)即可完美替代傳統(tǒng)撥動式開關(guān)，憑借0待機功耗、防誤觸、軟件硬關(guān)機等核心優(yōu)勢，解決傳統(tǒng)方案諸多痛點，且僅增加少許成本，綜合性價比遠超傳統(tǒng)方案，為消費電子升級提供優(yōu)質(zhì)解決方案。傳統(tǒng)撥動式開關(guān)的局限性早已成為行業(yè)共識。外

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，安測半導(dǎo)體技術(shù)（義烏）有限公司申請一項名為“一種電源芯片測試方法及裝置”的專利，公開號CN121324898A，申請日期為2025年11月。專利摘要顯示，本發(fā)明屬于芯片測試（晶圓測試）領(lǐng)域，為了解決在電源芯片的測試過程中，通常需要人工連線，由于連線較多，導(dǎo)致作業(yè)效率較低，而且經(jīng)常出現(xiàn)連線錯誤的問題，本發(fā)明提供了一種電源芯片測試方法及裝置，該裝置包括：連接單元，所述連接單元包括多個測試針，所述測試針與待測晶圓連接；探針單元，所述探針單元包括多個探針，通過探針與連接單元連接；測試電路單元，所述測試電路單元與探針單元的探針連接，用于發(fā)出測試信號；處理單元，用于根據(jù)所述測試電路單元發(fā)出的信號，對待測晶圓進行電壓測試。本發(fā)明中連接單元直接通過探針單元與測試電路單元連接，不再需要

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，眸芯科技（上海）有限公司申請一項名為“芯片調(diào)測系統(tǒng)及方法”的專利，公開號CN121210229A，申請日期為2025年9月。專利摘要顯示，本發(fā)明公開了芯片調(diào)測系統(tǒng)及方法，涉及芯片開發(fā)技術(shù)領(lǐng)域。所述系統(tǒng)包括待測芯片端和外設(shè)接口發(fā)送裝置，外設(shè)接口發(fā)送裝置設(shè)置在待測芯片端外部，與待測芯片通過管腳連接線連接，用于向待測芯片發(fā)送不同類型的低速協(xié)議激勵信號；待測芯片的內(nèi)部嵌入有協(xié)議轉(zhuǎn)換裝置，其被配置為：通過待測芯片封裝的管腳，接收外設(shè)接口發(fā)送裝置發(fā)送的低速協(xié)議激勵信號，對該激勵信號進行解析、轉(zhuǎn)換后得到AMBA總線協(xié)議的激勵信號，再通過AMBA總線發(fā)送至待測芯片的目標(biāo)地址模塊，以對芯片的目標(biāo)模塊寄存器進行訪問。本發(fā)明改進了芯片回片階段的測試和調(diào)試手段，可以對傳統(tǒng)調(diào)測方案進行補充或替