東科半導(dǎo)體推出合封 GaN PFC 芯片 DK8318，面向新一代高功率密度快充電源
2026年02月04日 09:52東科半導(dǎo)體自2020年以來持續(xù)深耕合封芯片領(lǐng)域，先后推出業(yè)內(nèi)首款全合封氮化鎵不對稱半橋產(chǎn)品、業(yè)界唯一的全合封高壓有源箝位反激（ACF）芯片、合封準諧振（QR）反激芯片，以及高集成度的同步整流合封芯片系列，這些產(chǎn)品在簡化外圍器件、降低調(diào)試難度和控制成本上取得了成功 。通過將功率器件、驅(qū)動和控制器合而為一，可有效減少PCB面積和連線寄生，提升系統(tǒng)集成度與可靠性。
在 3 月 28 日舉行的 2025（春季）亞洲充電展·亞洲充電大會上，東科半導(dǎo)體曾預(yù)告將推出全新的合封 PFC 芯片 DK83XX 系列。近日，首款產(chǎn)品 DK8318 正式發(fā)布，將 700V/101mΩ GaN 功率管與 CRM/DCM PFC 控制器高度集成于 ESOP16L 封裝，配合谷底導(dǎo)通、輸出電壓分段、輸入功率補償以及極低待機功耗設(shè)計，面向 180W 以內(nèi)高功率密度電源應(yīng)用。接下來充電頭網(wǎng)將對這款新品進行詳細介紹。
DK8318 是一款面向 180W 以內(nèi)高性能離線電源的臨界/斷續(xù)模式 PFC 轉(zhuǎn)換芯片，內(nèi)置 700V / 101mΩ 超低導(dǎo)通電阻氮化鎵功率管，并集成控制與功率器件，可為適配器、電腦電源、打印機電源以及 LED 驅(qū)動等前級 PFC 環(huán)節(jié)提供高功率密度、低損耗的一體化方案。
DK8318 支持 85–265Vac 寬范圍輸入，可與后級 Flyback、AHB、LLC 等多種隔離拓撲靈活搭配，幫助整機輕松實現(xiàn)高效率、高功率因數(shù)與小體積的綜合優(yōu)化。同時提供智能母線電壓分段功能，低線時將母線壓降至約 264V，以減小損耗和發(fā)熱，高線時恢復(fù)至約 400V，兼顧效率與后級拓撲設(shè)計空間，這是相對傳統(tǒng) PFC 方案的一大差異化優(yōu)勢。
在控制架構(gòu)上，DK8318 重載工作于臨界導(dǎo)通模式（CRM），輕載及待機階段自動切換至斷續(xù)導(dǎo)通模式（DCM），配合谷底導(dǎo)通技術(shù)，有效降低開通損耗和開關(guān)噪聲，有效提升系統(tǒng)在全負載范圍內(nèi)的效率與 EMI 表現(xiàn)。
DK8318 通過優(yōu)化待機控制及內(nèi)部功耗管理，將無負載功耗降至 25mW@115Vac、39mW@230Vac 的量級，即在 PFC 不停機的前提下，依然可以滿足 CoC V5 Tier 2 與 DoE Level VI 能效法規(guī)要求。這意味著整機設(shè)計不需要額外增加復(fù)雜的 PFC 旁路或關(guān)斷電路，就能輕松通過待機功耗測試，降低系統(tǒng)設(shè)計難度與成本。
DK8318 內(nèi)置完善的多重保護機制，包括 VCC 欠壓保護、輸出過壓/欠壓保護、兩級過流保護、旁路二極管短路保護、電流采樣電阻開路保護以及過溫保護等，確保系統(tǒng)安全可控。DK8318 還對 GaN 器件電流能力與溫度關(guān)系進行了專門設(shè)計與規(guī)范，結(jié)合較高的 ESD 指標，讓該芯片在高頻、高 dv/dt 應(yīng)用環(huán)境中仍能保持良好可靠性。DK8318 采用 ESOP16L 封裝。
DK8318 將 700V 低導(dǎo)通電阻 GaN 功率管與臨界/斷續(xù)模式 PFC 控制器集成于一顆 ESOP16L 芯片之中，支持 85–265Vac 寬輸入，重載 CRM、輕載 DCM 并結(jié)合谷底導(dǎo)通和 400V/264V 母線分段設(shè)計，在 180W 以內(nèi)應(yīng)用中兼顧高效率、高功率因數(shù)與更佳的低線損耗和熱表現(xiàn)，同時配合極低待機功耗和完善保護，明顯簡化了高功率密度電源的 PFC 設(shè)計難度。