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美斯特光電申請(qǐng)開關(guān)電源自動(dòng)保護(hù)方法及開關(guān)電源專利，防止線束受到拉扯從連接頭上發(fā)生脫落

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，深圳市美斯特光電技術(shù)有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種開關(guān)電源自動(dòng)保護(hù)方法及開關(guān)電源”的專利，公開號(hào)CN121416929A，申請(qǐng)日期為2025年10月。專利摘要顯示，本發(fā)明公開了一種開關(guān)電源自動(dòng)保護(hù)方法及開關(guān)電源，涉及開關(guān)電源技術(shù)領(lǐng)域，該開關(guān)電源，包括開關(guān)裝置，所述開關(guān)裝置的底部固定有連接頭，所述開關(guān)裝置的側(cè)壁設(shè)置有對(duì)線束進(jìn)行壓緊的保護(hù)裝置，所述開關(guān)裝置的正面設(shè)置有遮擋裝置；其中，所述保護(hù)裝置包括氣缸、活塞桿、轉(zhuǎn)動(dòng)塊、滑塊、壓緊輥、支撐塊、連接柱、傳動(dòng)柱、弧形板、連接彈簧。該開關(guān)電源自動(dòng)保護(hù)方法及開關(guān)電源，當(dāng)將線束安裝在連接頭上時(shí)，啟動(dòng)氣缸，通過活塞桿、轉(zhuǎn)動(dòng)塊、滑塊、壓緊輥、支撐塊、連接柱、傳動(dòng)柱、連接彈簧和弧形板的配合，從而能夠使壓緊輥將線束壓緊在弧形板上，對(duì)線束進(jìn)行固定

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博源電子申請(qǐng)消費(fèi)類開關(guān)電源AC過壓保護(hù)方法與系統(tǒng)專利，實(shí)現(xiàn)消費(fèi)類開關(guān)電源AC過壓保護(hù)

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，深圳市博源電子有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種消費(fèi)類開關(guān)電源AC過壓保護(hù)方法與系統(tǒng)”的專利，公開號(hào)CN121036509A，申請(qǐng)日期為2025年9月。專利摘要顯示，本發(fā)明涉及開關(guān)電源技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種消費(fèi)類開關(guān)電源AC過壓保護(hù)方法與系統(tǒng)。一種消費(fèi)類開關(guān)電源AC過壓保護(hù)方法，包括：獲取實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)，從電源系統(tǒng)傳感器中提取當(dāng)前AC輸入電壓值與大電容的剩余電量數(shù)據(jù)，通過電壓檢測(cè)模塊判斷電壓是否超過預(yù)設(shè)的AC過壓保護(hù)閾值，得到過壓觸發(fā)信號(hào)；針對(duì)放電級(jí)別序列，從控制單元向放電電路發(fā)送分級(jí)指令，通過調(diào)節(jié)放電電阻網(wǎng)絡(luò)的導(dǎo)通狀態(tài)實(shí)現(xiàn)多級(jí)放電，在每一級(jí)放電時(shí)監(jiān)測(cè)大電容的電壓下降趨勢(shì)，得到實(shí)時(shí)電壓變化數(shù)據(jù)；在放電完成后，從電網(wǎng)監(jiān)測(cè)模塊獲取電網(wǎng)恢復(fù)信號(hào)，通過分析電網(wǎng)電壓的穩(wěn)定程度與頻率特性，

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伊戈?duì)栯姎馊〉每杉嫒莶煌獠繖z測(cè)的開關(guān)電源專利，解決了開關(guān)電源無法兼容外接不同的外部檢測(cè)的問題

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微源半導(dǎo)體申請(qǐng)隔離管控制電路及開關(guān)電源專利，提高開關(guān)電源關(guān)斷過程的安全性與穩(wěn)定性

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，深圳市微源半導(dǎo)體股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“隔離管控制電路及開關(guān)電源”的專利，公開號(hào)CN121036538A，申請(qǐng)日期為2025年10月。專利摘要顯示，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N隔離管控制電路及開關(guān)電源。隔離管控制電路包括第一分壓模塊、第二分壓模塊、比較模塊、開關(guān)模塊和上拉模塊，比較模塊分別與第一分壓模塊、第二分壓模塊和開關(guān)模塊電連接，第一分壓模塊用于與開關(guān)電源中的隔離管的漏極電連接，開關(guān)模塊用于與隔離管的柵極電連接，上拉模塊用于分別與隔離管的柵極和隔離管的源極電連接。本申請(qǐng)?jiān)陂_關(guān)電源關(guān)斷過程中通過動(dòng)態(tài)調(diào)整隔離管的狀態(tài)，可以確保電感殘留能量的安全泄放，避免SWI節(jié)點(diǎn)電壓異常升高的風(fēng)險(xiǎn)，解決了傳統(tǒng)關(guān)斷過程中快速關(guān)斷隔離管導(dǎo)致SWI節(jié)點(diǎn)的電壓急劇升高可能擊穿功率管或隔離管的問題，提高

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杰華特微電子（成都）申請(qǐng)一種開關(guān)電源的動(dòng)態(tài)過溫保護(hù)電路及開關(guān)電源專利，動(dòng)態(tài)過溫檢測(cè)的準(zhǔn)確精度較高

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，杰華特微電子（成都）有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種開關(guān)電源的動(dòng)態(tài)過溫保護(hù)電路及開關(guān)電源”的專利，公開號(hào)CN 120999529 A，申請(qǐng)日期為2024年12月。專利摘要顯示，本發(fā)明提出一種開關(guān)電源的動(dòng)態(tài)過溫保護(hù)電路，在功率管附近設(shè)置第一結(jié)型晶體管，在所述控制器內(nèi)設(shè)置第二結(jié)型晶體管；檢測(cè)不同電流分別流經(jīng)所述第一結(jié)型晶體管時(shí)產(chǎn)生的電壓變化量得到第一電壓變化量；檢測(cè)不同電流分別流經(jīng)所述第二結(jié)型晶體管時(shí)產(chǎn)生的電壓變化量得到第二電壓變化量，第一電壓變化量和第二電壓變化量的獲取時(shí)序相同；將所述第一電壓變化量和所述第二電壓變化量的差值與過溫保護(hù)閾值進(jìn)行比較，得到動(dòng)態(tài)過溫檢測(cè)信號(hào)，當(dāng)所述差值大于所述過溫保護(hù)閾值時(shí)，所述動(dòng)態(tài)過溫檢測(cè)信號(hào)有效，觸發(fā)所述開關(guān)電源進(jìn)行動(dòng)態(tài)過溫保護(hù)。本發(fā)明與工藝誤

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GEK100系列，純硬件開關(guān)機(jī)芯片，不用擔(dān)心死機(jī)問題的開關(guān)機(jī)芯片，及一鍵開關(guān)機(jī)芯片的發(fā)展趨勢(shì)分析

純硬件開關(guān)機(jī)芯片GEK100系列，不用擔(dān)心死機(jī)問題的開關(guān)機(jī)芯片，及一鍵開關(guān)機(jī)芯片的發(fā)展趨勢(shì)分析在智能電子設(shè)備全面普及的今天，用戶對(duì)設(shè)備穩(wěn)定性的要求愈發(fā)嚴(yán)苛，而開關(guān)機(jī)功能作為設(shè)備與用戶交互的第一道門檻，其可靠性直接決定了產(chǎn)品的用戶體驗(yàn)與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。然而，當(dāng)前市面上多數(shù)電子設(shè)備仍受困于開關(guān)機(jī)過程中的死機(jī)難題——當(dāng)設(shè)備遭遇程序跑飛、供電不穩(wěn)、電磁干擾或ESD靜電沖擊時(shí)，往往會(huì)陷入“變磚”狀態(tài)，任何操作都無法響應(yīng)，只能通過斷電、拔電源或扣電池的方式強(qiáng)制重啟。這一問題不僅給用戶帶來極大不便，尤其對(duì)鋰電池供電設(shè)備用戶極不友好，還迫使開發(fā)者額外增設(shè)復(fù)位按鍵，增加了研發(fā)成本與電路復(fù)雜度。在此背景下，純硬件架構(gòu)的開關(guān)機(jī)芯片應(yīng)運(yùn)而生，其中GEK100系列憑借卓越的穩(wěn)定性與適配性，為行業(yè)提供了“不用擔(dān)心死機(jī)”的優(yōu)

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芯瞳半導(dǎo)體申請(qǐng)多核芯片的操作、設(shè)計(jì)方法及芯片專利，提高多核芯片制造的整體良率

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，芯瞳半導(dǎo)體技術(shù)（廈門）有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“多核芯片的操作方法、設(shè)計(jì)方法及多核芯片”的專利，公開號(hào)CN121351726A，申請(qǐng)日期為2025年12月。專利摘要顯示，本公開涉及半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造的技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種多核芯片的操作方法、設(shè)計(jì)方法及多核芯片。本公開的技術(shù)方案將可接受制造缺陷的電路邏輯分為第一邏輯分組，不可接受制造缺陷的電路邏輯分為第二邏輯分組；通過讀取多核芯片上至少一個(gè)計(jì)算核心的缺陷狀態(tài)，可以確定出計(jì)算核心內(nèi)可接受制造缺陷的第一邏輯分組的可用性；在缺陷狀態(tài)指示第一邏輯分組不可用時(shí)，配置計(jì)算核心內(nèi)的控制寄存器關(guān)閉第一邏輯分組，同時(shí)保持計(jì)算核心內(nèi)不可接受制造缺陷的第二邏輯分組處于運(yùn)行狀態(tài)，不影響計(jì)算核心的功能電路邏輯。該技術(shù)方案使多核芯片可接受制造缺陷的電路

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科創(chuàng)芯片設(shè)計(jì)板塊領(lǐng)漲市場(chǎng)，科創(chuàng)芯片設(shè)計(jì)ETF易方達(dá)(589030)沖高漲超6%，重要部門發(fā)聲：加快突破訓(xùn)練芯片、異構(gòu)算力等關(guān)鍵技術(shù)

來源：界面新聞截至2026年1月21日 11:11，上證科創(chuàng)板芯片設(shè)計(jì)主題指數(shù)(950162)強(qiáng)勢(shì)上漲5.48%，科創(chuàng)芯片設(shè)計(jì)ETF易方達(dá)(589030)一度漲超6%，現(xiàn)漲5.46%，盤中換手32.78%，成交9733.35萬元，市場(chǎng)交投活躍。消息面上，國(guó)務(wù)院新聞辦公室舉行新聞發(fā)布會(huì)，請(qǐng)工業(yè)和信息化部相關(guān)負(fù)責(zé)人介紹2025年工業(yè)和信息化發(fā)展成效以及下一步部署。他表示，下一步，我們將抓好技術(shù)創(chuàng)新，加快突破訓(xùn)練芯片、異構(gòu)算力等關(guān)鍵技術(shù)。抓好融合應(yīng)用，聚焦軟件編程、新材料研發(fā)、醫(yī)藥研發(fā)、信息通信等行業(yè)領(lǐng)域，體系化推動(dòng)大小模型、智能體實(shí)現(xiàn)突破。AI算力需求持續(xù)爆發(fā)，推動(dòng)先進(jìn)制程技術(shù)加速迭代。財(cái)通證券指出，臺(tái)積電2025年第四季度營(yíng)收創(chuàng)歷史新高，先進(jìn)制程（7nm及以下）營(yíng)收占比提升至77%，其中3nm

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H6253K寬電壓降壓恒壓芯片120V降5V 150V降5V 48V降5V DC-DC電源管理芯片原廠直供性價(jià)比高

目前市場(chǎng)上的100V以上的高壓DCDC電源芯片雖然種類繁多，但是電流普遍偏小，難以滿足一些大功率應(yīng)用的需求。針對(duì)這一市場(chǎng)痛點(diǎn)，我司特研發(fā)出了一款150V 2.5A的降壓恒壓芯片，該芯片不僅具有高電壓輸入能力，還具備大電流輸出的特點(diǎn)，能夠廣泛應(yīng)用于各種需要高功率、高效率、低功耗的電源轉(zhuǎn)換的場(chǎng)景。尤其在應(yīng)對(duì)潛在的熱拔插應(yīng)用場(chǎng)景方面有出色的表現(xiàn)?！?支持高耐壓150V◆ 高恒壓精度高◆ 2.5A持續(xù)大電流，低功耗◆ 高工作轉(zhuǎn)換效率，可達(dá)95%◆ 輸出電壓可調(diào)≥3.3V◆ 動(dòng)態(tài)響應(yīng)優(yōu)異，線性和負(fù)載調(diào)整良好◆ 集成軟啟動(dòng)、過流保護(hù)OCP、過熱保護(hù)OTP、短路保護(hù)SCP◆ 針對(duì)頻繁熱拔插使用場(chǎng)景有出色的表現(xiàn)

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嘉拓微科技取得設(shè)有散熱結(jié)構(gòu)的電源芯片專利，有助于提高電源晶片的安全性和使用壽命

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，深圳市嘉拓微科技有限公司取得一項(xiàng)名為“一種設(shè)有散熱結(jié)構(gòu)的電源芯片”的專利，授權(quán)公告號(hào)CN223816409U，申請(qǐng)日期為2025年2月。專利摘要顯示，本實(shí)用新型公開了一種設(shè)有散熱結(jié)構(gòu)的電源芯片，涉及電子元件技術(shù)領(lǐng)域。包括塑封外殼，塑封外殼中安裝有引線框架，且引線框架的兩側(cè)設(shè)有引腳，引線框架上設(shè)有焊盤，且焊盤上焊接有電源晶片，焊盤的底部安裝有內(nèi)均熱板，塑封外殼的底部嵌裝有導(dǎo)熱銅片，且導(dǎo)熱銅片的頂部通過導(dǎo)熱膏與內(nèi)均熱板的底部相貼合。該設(shè)有散熱結(jié)構(gòu)的電源芯片，在引線框架的焊盤底部設(shè)置有內(nèi)均熱板，在塑封外殼的頂部設(shè)置有外均熱板，根據(jù)均熱板的散熱特性，其能夠均勻分布電源晶片運(yùn)行時(shí)的熱量，防止局部過熱，有助于提高電源晶片的安全性和使用壽命，通過導(dǎo)熱介質(zhì)將熱量傳導(dǎo)至外界環(huán)境中，實(shí)現(xiàn)

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