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國家知識產權局信息顯示，江蘇信保展機電科技有限公司取得一項名為“一種高壓開關三工位操作機構的間歇動作傳動結構”的專利，授權公告號CN223612299U，申請日期為2025年2月。專利摘要顯示，本實用新型公開了一種高壓開關三工位操作機構的間歇動作傳動結構，包括機殼，機殼上設置有動力傳遞部與動力接收部，動力傳遞部包括撥盤，撥盤上設置有鎖止弧，撥盤的兩側均設置有輥軸；動力接收部包括槽輪板，槽輪板上固定連接有主動齒輪，槽輪板的側壁上開設有兩個溝槽，槽輪板的側壁上開設有三個鎖止槽，兩個溝槽的開口分布在三個鎖止槽之間，撥盤上設置有鎖止弧。本實用新型通過撥盤上的輥軸與槽輪板上的溝槽設計，使得撥盤在旋轉過程中能夠間歇性地驅動槽輪板及其上的主動齒輪轉動。這種間歇傳動方式實現(xiàn)了對隔離開關、接地開關分合閘動作的

1月8日消息，據上交所數據顯示，截至 10:02，上證指數上漲 0.04%，科創(chuàng)芯片指數上漲 2.93%，個股方面，海光信息漲超 13%，芯原股份漲超 7%，寒武紀 - U 漲超 5%，華虹公司漲超 4%，晶晨股份、中芯國際等漲超 3%，滬硅產業(yè)漲超 2%，華海清科漲超 1%，中微公司跟漲。熱門 ETF 方面，科創(chuàng)芯片 ETF（588200）漲 3.01%，盤中成交額達 14.25 億元，換手率達 3.30%。天天基金網數據顯示，該基金近 6 月漲 70.55%，近 1 年漲 78.20%。消息面上，國內半導體技術取得重大突破，首條二維半導體工程化示范工藝線于 1 月 6 日在上海浦東川沙成功點亮，預計今年 6 月通線，標志著我國在新一代芯片材料領域邁出關鍵一步；全球存儲芯片市場進入 “超級

國家知識產權局信息顯示，眸芯科技（上海）有限公司申請一項名為“芯片調測系統(tǒng)及方法”的專利，公開號CN121210229A，申請日期為2025年9月。專利摘要顯示，本發(fā)明公開了芯片調測系統(tǒng)及方法，涉及芯片開發(fā)技術領域。所述系統(tǒng)包括待測芯片端和外設接口發(fā)送裝置，外設接口發(fā)送裝置設置在待測芯片端外部，與待測芯片通過管腳連接線連接，用于向待測芯片發(fā)送不同類型的低速協(xié)議激勵信號；待測芯片的內部嵌入有協(xié)議轉換裝置，其被配置為：通過待測芯片封裝的管腳，接收外設接口發(fā)送裝置發(fā)送的低速協(xié)議激勵信號，對該激勵信號進行解析、轉換后得到AMBA總線協(xié)議的激勵信號，再通過AMBA總線發(fā)送至待測芯片的目標地址模塊，以對芯片的目標模塊寄存器進行訪問。本發(fā)明改進了芯片回片階段的測試和調試手段，可以對傳統(tǒng)調測方案進行補充或替

1月7日，據上交所數據顯示，截至09:58，上證指數上漲0.14%，科創(chuàng)芯片指數上漲2.13%，個股方面，中微公司漲超6%，瀾起科技漲超4%，華海清科漲超3%，滬硅產業(yè)漲超2%，華虹公司漲超1%。熱門ETF方面，科創(chuàng)芯片ETF（588200）漲2.04%，盤中成交額達12.90億元，換手率達2.99%。天天基金網數據顯示，該基金近6月漲65.69%。消息面上，全球存儲芯片供應持續(xù)緊張、價格飆升，三星電子與SK海力士計劃2026年第一季度將服務器DRAM價格較2025年第四季度提升60%至70%，PC及智能手機用DRAM同步漲價，NAND Flash合約價預計持續(xù)上漲33-38%，2025 年DDR4 16Gb漲幅高達1800%，DDR5 16Gb漲幅達500%，行業(yè)預計2027年前存儲芯片價

國家知識產權局信息顯示，杭州旗捷科技股份有限公司申請一項名為“一種耗材芯片的升級方法和升級電路”的專利，公開號CN121340789A，申請日期為2025年10月。專利摘要顯示，本發(fā)明實施例公開了一種耗材芯片的升級方法和升級電路。耗材芯片的升級電路包括：信號選擇模塊、信號處理模塊、耗材接口模塊和控制器；信號選擇模塊與電源以及控制器電連接，信號處理模塊、耗材接口模塊與控制器電連接，信號選擇模塊和信號處理模塊均與耗材接口模塊電連接；方法由控制器執(zhí)行，方法包括：控制信號選擇模塊的工作狀態(tài)；當耗材接口模塊與耗材芯片接觸時，向耗材接口模塊傳輸電平信號，接收耗材接口模塊傳輸的第一信號以及信號選擇模塊傳輸的第二信號；根據第一信號和第二信號，確定耗材芯片的狀態(tài)和類型；根據耗材芯片的狀態(tài)和類型，控制信號選擇模

國家知識產權局信息顯示，深圳市穩(wěn)先微電子有限公司取得一項名為“智能電子開關、集成電路芯片、芯片產品和汽車”的專利，授權公告號CN118449503B，申請日期為2024年5月。天眼查資料顯示，深圳市穩(wěn)先微電子有限公司，成立于2000年，位于深圳市，是一家以從事軟件和信息技術服務業(yè)為主的企業(yè)。企業(yè)注冊資本2848.2982萬人民幣。通過天眼查大數據分析，深圳市穩(wěn)先微電子有限公司共對外投資了5家企業(yè)，參與招投標項目4次，財產線索方面有商標信息21條，專利信息111條，此外企業(yè)還擁有行政許可18個。聲明：市場有風險，投資需謹慎。本文為AI基于第三方數據生成，僅供參考，不構成個人投資建議。

國家知識產權局信息顯示，珠海格力電器股份有限公司申請一項名為“一種開關管的保護電路和芯片”的專利，公開號CN121261684A，申請日期為2025年8月。專利摘要顯示，本發(fā)明實施例提供了一種開關管的保護電路和芯片，包括第一開關管、開通電路和控制電路；第一開關管的輸入端與功率模塊連接，用于接收功率模塊輸出的供電電壓；開通電路的一端與驅動芯片連接，另一端與第一開關管的控制端連接，用于接收驅動芯片輸出的驅動電壓，并向第一開關管的控制端輸出驅動電壓；開通電路包括電阻調節(jié)模塊；控制電路分別與電阻調節(jié)模塊和第一開關管的控制端連接，用于調整電阻調節(jié)模塊的阻值。本發(fā)明實施例通過控制電路，根據第一開關管的控制端與輸出端之間的電壓來調整電阻調節(jié)模塊的阻值，由于電阻的阻尼作用，從而抑制了第一開關管的控制端基于供

國家知識產權局信息顯示，珠海量引科技有限公司申請一項名為“光開關和硅光芯片”的專利，公開號CN121299841A，申請日期為2025年12月。專利摘要顯示，本發(fā)明提供一種光開關和硅光芯片，光開關包括第一波導和第二波導，第一波導與第二波導并列設置；第二波導包括主體和設置在主體中的第一縫隙；第一波導由第一材料組成，主體由所述第一材料組成，第一縫隙填充有第二材料；第一材料的熱光系數大于第二材料的熱光系數；沿光傳播方向，光開關依次設置有輸入端口區(qū)、輸入耦合區(qū)、非耦合相位調制區(qū)、輸出耦合區(qū)和輸出端口區(qū)，輸入端口區(qū)、輸入耦合區(qū)、非耦合相位調制區(qū)、輸出耦合區(qū)和輸出端口區(qū)均設置在第一波導和第二波導上；在非耦合相位調制區(qū)的第一波導的寬度為450納米，在非耦合相位調制區(qū)的第二波導寬度為600納米。本發(fā)明在實現(xiàn)

國家知識產權局信息顯示，珠海零邊界集成電路有限公司;珠海格力電器股份有限公司申請一項名為“一種智能功率模塊和一種芯片”的專利，公開號CN121283227A，申請日期為2025年9月。專利摘要顯示，本發(fā)明實施例提供了一種智能功率模塊和一種芯片，該智能功率模塊包括：逆變模塊和功率因數校正模塊(PFC模塊)。逆變模塊中，第一、第二反向導通絕緣柵器件的控制端分別與第一、第二集成電路連接，實現(xiàn)了驅動信號的短路徑、低延遲傳輸，提高了開關動作的精確性和可靠性。PFC模塊為逆變模塊提供更穩(wěn)定、更高電壓的直流母線，使逆變模塊工作在更優(yōu)的電壓區(qū)間。逆變模塊和PFC模塊的關鍵器件之間采用直接連接方式，減少了外部走線，有助于減少電磁干擾。將逆變模塊和PFC模塊集成在同一個封裝內，減少了外部連接和分立元器件的數量，

ES5915-654852長按1.5秒開關機芯片一． 功能說明供電范圍：DC2.0-5.0V。輕觸按鍵輸入兩路信號同步輸出：OUTH高有效、OUTL低有效。上電OUTL為高電平、OUTH為低電平，長按KEY鍵 1.5秒，OUTH輸出高電平，OUTL輸出低電平，再次長按KEY鍵 1.5秒關機，OUTH翻轉為低電平，OUTL翻轉為高電平。二． 電氣參數（VDD=5.0V TA=25℃）工作電壓：2.0V-5.0V工作電流：1uA靜態(tài)電流：1uA驅動電流低電平輸出：15mA驅動電流高電平輸出：10mA工作溫度：-10攝氏度-+60攝氏度儲存溫度：-25攝氏度-+125攝氏度三． 電路圖參考電源開關芯片*C2電容可根據電源實際需要調整或省略四． 封裝尺寸圖（SOT23-6）