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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，深圳市秀武電子有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種新型芯片封裝結(jié)構(gòu)及其封裝工藝”的專(zhuān)利，公開(kāi)號(hào)CN121398635A，申請(qǐng)日期為2025年12月。專(zhuān)利摘要顯示，本發(fā)明屬于半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域，具體的說(shuō)是一種新型芯片封裝結(jié)構(gòu)及其封裝工藝，包括上封裝基體、下封裝基體、芯片主體、導(dǎo)電連接部及多個(gè)引腳，通過(guò)高導(dǎo)熱材料和鷗翼型引腳設(shè)計(jì)優(yōu)化散熱性能與電性連接路徑，采用注塑工藝簡(jiǎn)化制造流程。本申請(qǐng)可以實(shí)現(xiàn)減少寄生電感，降低開(kāi)關(guān)損耗，提高效率和易用性、提供更高功率密度解決方案、低RDSON，高電流能力、靈活的PCB布局、焊點(diǎn)檢測(cè)容易，焊點(diǎn)可靠性高、克服PCB散熱限制，實(shí)現(xiàn)高度自動(dòng)化。天眼查資料顯示，深圳市秀武電子有限公司，成立于2001年，位于深圳市，是一家以從事其他制造業(yè)為主的企業(yè)。企業(yè)注冊(cè)

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，昆明七零五所科技發(fā)展有限責(zé)任公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種高集成度的高壓開(kāi)關(guān)模塊”的專(zhuān)利，公開(kāi)號(hào)CN121433001A，申請(qǐng)日期為2025年10月。專(zhuān)利摘要顯示，本發(fā)明提供一種高集成度的高壓開(kāi)關(guān)模塊，通過(guò)將主接觸器、預(yù)充接觸器、預(yù)充電阻、電壓/電流采集模塊、主控芯片等組件集成，通過(guò)內(nèi)部PCB板及線纜進(jìn)行內(nèi)部電氣連接，最后進(jìn)行整體封裝，封裝后的開(kāi)關(guān)模塊具備主供電控制、預(yù)充、電流電壓采集、通信功能，可實(shí)現(xiàn)整體直插安裝，對(duì)外的電氣連接僅有兩個(gè)高壓接口和一個(gè)通信控制接口，該開(kāi)關(guān)模塊特別適用于高壓控制盒的多路輸出控制場(chǎng)景，根據(jù)實(shí)際需求選擇對(duì)應(yīng)數(shù)量的開(kāi)關(guān)模塊進(jìn)行配置，從而實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的靈活擴(kuò)展，這種標(biāo)準(zhǔn)化設(shè)計(jì)顯著提升了高壓控制盒的集成度，為相關(guān)領(lǐng)域的應(yīng)用提供了高效、可靠的解決方案。天眼查資

在無(wú)數(shù)現(xiàn)代化變電站與配電室內(nèi)，一排排精密的高壓開(kāi)關(guān)設(shè)備無(wú)聲矗立，它們是電力系統(tǒng)的“神經(jīng)中樞”，控制著龐大電能的安全分配與流向。而在這關(guān)乎城市運(yùn)轉(zhuǎn)、工業(yè)命脈的核心系統(tǒng)中，一個(gè)看似不起眼的藍(lán)色按鈕——來(lái)自?shī)W地利Kraus & Naimer 的 CA10 系列按鈕開(kāi)關(guān)，正扮演著至關(guān)重要的“安全衛(wèi)士”角色。Kraus & Naimer一、來(lái)自?shī)W地利的精密傳承Kraus & Naimer是奧地利一家生產(chǎn)凸輪開(kāi)關(guān)的制造商 ，專(zhuān)門(mén)生產(chǎn)所有類(lèi)型的工業(yè)開(kāi)關(guān)。設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和供應(yīng)主開(kāi)關(guān)、控制和維修開(kāi)關(guān)以及開(kāi)關(guān)隔離開(kāi)關(guān)也是運(yùn)輸（鐵路、車(chē)輛、船舶等）、輸送系統(tǒng)、升降系統(tǒng)、機(jī)械工程、發(fā)電和配電等不同行業(yè)眾多工業(yè)客戶的強(qiáng)大合作伙伴。幾十年來(lái)，Kraus & Naimer 創(chuàng)造了無(wú)數(shù)的產(chǎn)品創(chuàng)新

高壓放大器在半導(dǎo)體測(cè)試中扮演著“能量助推器”和“精密指揮官”的角色，它將測(cè)試設(shè)備產(chǎn)生的微弱控制信號(hào)精準(zhǔn)放大到數(shù)百甚至數(shù)千伏的高壓，以滿足各種嚴(yán)苛的測(cè)試條件。下面將詳細(xì)介紹它在幾個(gè)關(guān)鍵測(cè)試場(chǎng)景中的具體作用以及需求。介電擊穿測(cè)試：對(duì)芯片的絕緣層施加從低到高（可達(dá)±20kV）的直流或掃描電壓，分析其絕緣失效的臨界點(diǎn)。需求：高輸出電壓、低噪聲（<100μVrms）、精確的電壓控制。芯片老化測(cè)試（如功率器件）：施加高于正常工作電壓的應(yīng)力，加速芯片老化，以評(píng)估其長(zhǎng)期可靠性。需求：高電壓/電流輸出、長(zhǎng)期穩(wěn)定性、良好的過(guò)溫與過(guò)流保護(hù)機(jī)制。壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)（MEMS傳感器）：驅(qū)動(dòng)微機(jī)電系統(tǒng)中的壓電元件，實(shí)現(xiàn)精密運(yùn)動(dòng)或傳感。需求：能夠驅(qū)動(dòng)容性負(fù)載、高輸出電流（峰值可達(dá)百mA級(jí)）、四象限輸出。晶體管參數(shù)測(cè)試：為

掌握高壓假負(fù)載測(cè)試方法：有效保障電力設(shè)備運(yùn)行穩(wěn)定性與能耗控制大功率高壓發(fā)電機(jī)組滿負(fù)荷測(cè)試時(shí)，產(chǎn)生的熱量足以考驗(yàn)任何負(fù)載柜的耐壓能力，而一套科學(xué)的測(cè)試方法卻能化險(xiǎn)為夷。在電力保障系統(tǒng)中，應(yīng)急發(fā)電機(jī)組被視為“最后一棵救命稻草”。然而，這些設(shè)備長(zhǎng)期處于待機(jī)狀態(tài)，僅依靠日?？蛰d測(cè)試難以評(píng)估其真實(shí)帶載能力。假負(fù)載測(cè)試技術(shù)通過(guò)模擬各種功率負(fù)載條件，對(duì)發(fā)電機(jī)組、UPS、高壓電源等設(shè)備的輸出功率與帶載能力進(jìn)行精確檢測(cè)，成為保障電力設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行的關(guān)鍵手段。隨著高壓發(fā)電機(jī)組輸出電壓達(dá)到萬(wàn)伏級(jí)別，對(duì)負(fù)載柜的耐壓能力提出極高要求，掌握高壓假負(fù)載測(cè)試方法已成為電力維護(hù)人員的必備技能。 01 高壓假負(fù)載的測(cè)試原理假負(fù)載，顧名思義，是一種替代真實(shí)負(fù)載的電子設(shè)備，用于模擬實(shí)際運(yùn)行條件下電力設(shè)備的輸出特性。電子假負(fù)載通過(guò)功率

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，仝瑞半導(dǎo)體科技（上海）有限公司取得一項(xiàng)名為“一種可快速拆裝的芯片量產(chǎn)測(cè)試用插座”的專(zhuān)利，授權(quán)公告號(hào)CN223815386U，申請(qǐng)日期為2025年1月。專(zhuān)利摘要顯示，本實(shí)用新型提出一種可快速拆裝的芯片量產(chǎn)測(cè)試用插座，包括測(cè)試底座、浮動(dòng)支座、芯片保持座和頂蓋，浮動(dòng)支座底部滑動(dòng)扣合于測(cè)試底座頂部的浮動(dòng)凸部，緊貼浮動(dòng)支座的上表面設(shè)有芯片保持座，緊貼所述芯片保持座的頂部設(shè)有頂蓋。本實(shí)用新型通過(guò)將頂蓋蓋設(shè)于芯片保持座上且向下按壓，直至頂蓋兩側(cè)所設(shè)扣件底部的扣齒與測(cè)試底座兩側(cè)的扣槽相扣合，在按壓過(guò)程中，待測(cè)芯片的引腳被配合插入引腳插孔支座上所設(shè)的引腳插孔中，從而實(shí)現(xiàn)待測(cè)芯片的裝配連接，裝配簡(jiǎn)單。天眼查資料顯示，仝瑞半導(dǎo)體科技（上海）有限公司，成立于2021年，位于上海市，是一家以從

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，眸芯科技（上海）有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“芯片調(diào)測(cè)系統(tǒng)及方法”的專(zhuān)利，公開(kāi)號(hào)CN121210229A，申請(qǐng)日期為2025年9月。專(zhuān)利摘要顯示，本發(fā)明公開(kāi)了芯片調(diào)測(cè)系統(tǒng)及方法，涉及芯片開(kāi)發(fā)技術(shù)領(lǐng)域。所述系統(tǒng)包括待測(cè)芯片端和外設(shè)接口發(fā)送裝置，外設(shè)接口發(fā)送裝置設(shè)置在待測(cè)芯片端外部，與待測(cè)芯片通過(guò)管腳連接線連接，用于向待測(cè)芯片發(fā)送不同類(lèi)型的低速協(xié)議激勵(lì)信號(hào)；待測(cè)芯片的內(nèi)部嵌入有協(xié)議轉(zhuǎn)換裝置，其被配置為：通過(guò)待測(cè)芯片封裝的管腳，接收外設(shè)接口發(fā)送裝置發(fā)送的低速協(xié)議激勵(lì)信號(hào)，對(duì)該激勵(lì)信號(hào)進(jìn)行解析、轉(zhuǎn)換后得到AMBA總線協(xié)議的激勵(lì)信號(hào)，再通過(guò)AMBA總線發(fā)送至待測(cè)芯片的目標(biāo)地址模塊，以對(duì)芯片的目標(biāo)模塊寄存器進(jìn)行訪問(wèn)。本發(fā)明改進(jìn)了芯片回片階段的測(cè)試和調(diào)試手段，可以對(duì)傳統(tǒng)調(diào)測(cè)方案進(jìn)行補(bǔ)充或替

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，浙江唐鋒能源科技有限公司取得一項(xiàng)名為“一種電堆升降臺(tái)架”的專(zhuān)利，授權(quán)公告號(hào)CN223823295U，申請(qǐng)日期為2025年4月。專(zhuān)利摘要顯示，本實(shí)用新型提供一種電堆升降臺(tái)架，涉及燃料電池和電解水測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域，包括底座，底座設(shè)有升降裝置和儲(chǔ)液罐，升降裝置的升降端連接有稱重裝置，稱重裝置的稱重面安裝有傾斜活動(dòng)裝置，傾斜活動(dòng)裝置的傾斜活動(dòng)面安裝有測(cè)試臺(tái)，測(cè)試臺(tái)內(nèi)設(shè)有測(cè)試槽；儲(chǔ)液罐連接有排液管，排液管的一端連通于測(cè)試槽。本實(shí)用新型通過(guò)設(shè)置升降裝置使得測(cè)試臺(tái)可以根據(jù)電堆尺寸升降至合適的位置，從而滿足了多種尺寸電堆測(cè)試的需求。通過(guò)在測(cè)試臺(tái)的下方設(shè)置傾斜活動(dòng)裝置，從而可以根據(jù)積水的量調(diào)節(jié)傾斜度，從而使其快速排水，減小安全隱患。通過(guò)設(shè)置稱重裝置，從而可以在穩(wěn)定狀態(tài)下對(duì)電堆進(jìn)行質(zhì)量測(cè)量，

在半導(dǎo)體測(cè)試、功率器件研究及高壓電子元件開(kāi)發(fā)等領(lǐng)域，高壓探針臺(tái)扮演著不可或缺的角色。與普通探針臺(tái)相比，高壓探針臺(tái)在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、安全性能和測(cè)試能力上具有顯著優(yōu)勢(shì)，能夠滿足高壓環(huán)境下的精密測(cè)試需求，下面鍵德測(cè)試測(cè)量小編就來(lái)詳細(xì)介紹下選擇高壓探針臺(tái)的原因。選擇高壓探針臺(tái)的原因如下：一、滿足高壓測(cè)試需求高壓探針臺(tái)專(zhuān)為高電壓環(huán)境下的測(cè)試而設(shè)計(jì)，能夠承受數(shù)百伏甚至數(shù)千伏的電壓，而普通探針臺(tái)通常僅適用于低壓測(cè)試。在功率半導(dǎo)體(如IGBT、MOSFET、SiC器件等)的研發(fā)與生產(chǎn)過(guò)程中，器件往往需要在高壓條件下進(jìn)行性能評(píng)估，例如擊穿電壓測(cè)試、漏電流測(cè)試及耐壓特性分析。高壓探針臺(tái)通過(guò)其特殊設(shè)計(jì)的絕緣結(jié)構(gòu)和高壓接口，確保測(cè)試過(guò)程中的信號(hào)穩(wěn)定性和數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性，是高壓器件測(cè)試的理想選擇。二、保障測(cè)試安全高壓測(cè)試環(huán)境對(duì)設(shè)