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國家知識產權局信息顯示，國網(wǎng)電力工程研究院有限公司申請一項名為“一種定速抽蓄機組轉調相工況的控制方法及控制系統(tǒng)”的專利，公開號CN121216497A，申請日期為2025年11月。專利摘要顯示，本發(fā)明涉及抽水蓄能機組控制技術領域，公開了一種定速抽蓄機組轉調相工況的控制方法及控制系統(tǒng)，方法包括：獲取控制指令，控制指令用于控制抽蓄機組的工作模式從發(fā)電工況轉換為調相工況；基于控制指令控制抽蓄機組從自動電壓調節(jié)模式切換至自動無功調節(jié)模式；基于控制指令，控制抽蓄機組的有功功率降低的過程中，同步且主動地提升抽蓄機組的無功功率；實時獲取抽蓄機組的工作參數(shù)，并當工作參數(shù)滿足預設壓水條件時輸出壓水指令，壓水指令用于控制抽蓄機組壓水；當壓水完成時，控制抽蓄機組的有功功率及無功功率均穩(wěn)定在對應的預設目標值后，抽蓄

用電負荷是指電力系統(tǒng)中所接入的用電設備所消耗的功率，也就是電流和電壓在一定時間間隔內所做的功。按照不同的分類方式，用電負荷可以分為不同的類型。在實際工程中，可以根據(jù) 具體的情況選擇合適的負荷計算方法。同時，為了更加準確地預測和控制電能使用情況，還需要結合先進的用電監(jiān)測和管理技術。 通過實時監(jiān)測用電設備的電流、電壓、功率因數(shù)等參數(shù)，可以更加準確地掌握設備的實際運行情況，并采取相應的節(jié)能措施。那么用電負荷怎么計算？計算公式又是什么呢？下面跟著小編一起來學習一下吧。01用電負荷定義用電負荷是指用電客戶的用電設備在某一時刻實際取用的功率總和。從電力系統(tǒng)來講，則是指為了滿足用戶用電所需具備的發(fā)電出力。用電負荷是一個不斷變動的量，對一個地區(qū)而言，負荷變化的特性主要取決于用電行業(yè)結構、地域、季節(jié)變化、經濟

掌握高壓假負載測試方法：有效保障電力設備運行穩(wěn)定性與能耗控制大功率高壓發(fā)電機組滿負荷測試時，產生的熱量足以考驗任何負載柜的耐壓能力，而一套科學的測試方法卻能化險為夷。在電力保障系統(tǒng)中，應急發(fā)電機組被視為“最后一棵救命稻草”。然而，這些設備長期處于待機狀態(tài)，僅依靠日常空載測試難以評估其真實帶載能力。假負載測試技術通過模擬各種功率負載條件，對發(fā)電機組、UPS、高壓電源等設備的輸出功率與帶載能力進行精確檢測，成為保障電力設備穩(wěn)定運行的關鍵手段。隨著高壓發(fā)電機組輸出電壓達到萬伏級別，對負載柜的耐壓能力提出極高要求，掌握高壓假負載測試方法已成為電力維護人員的必備技能。 01 高壓假負載的測試原理假負載，顧名思義，是一種替代真實負載的電子設備，用于模擬實際運行條件下電力設備的輸出特性。電子假負載通過功率

國家知識產權局信息顯示，上海艾為電子技術股份有限公司申請一項名為“一種控制方法、芯片、存儲介質及電子設備”的專利，公開號CN121254685A，申請日期為2025年9月。專利摘要顯示，本申請實施例提供了一種控制方法，包括：接收第二設備發(fā)出的芯片控制指令，從所述芯片控制指令的位置地址中獲取位置控制指令和控制使能指令；基于所述位置控制指令和所述控制使能指令，控制所述第一設備同時進入位置控制模式和控制使能模式。本申請實現(xiàn)了提高通訊效率，保證多個芯片的協(xié)同操作，避免不同控制指令之間不同步產生導致預期之外的不穩(wěn)定控制。天眼查資料顯示，上海艾為電子技術股份有限公司，成立于2008年，位于上海市，是一家以從事軟件和信息技術服務業(yè)為主的企業(yè)。企業(yè)注冊資本23312.8636萬人民幣。通過天眼查大數(shù)據(jù)分析，

國家知識產權局信息顯示，眸芯科技（上海）有限公司申請一項名為“芯片調測系統(tǒng)及方法”的專利，公開號CN121210229A，申請日期為2025年9月。專利摘要顯示，本發(fā)明公開了芯片調測系統(tǒng)及方法，涉及芯片開發(fā)技術領域。所述系統(tǒng)包括待測芯片端和外設接口發(fā)送裝置，外設接口發(fā)送裝置設置在待測芯片端外部，與待測芯片通過管腳連接線連接，用于向待測芯片發(fā)送不同類型的低速協(xié)議激勵信號；待測芯片的內部嵌入有協(xié)議轉換裝置，其被配置為：通過待測芯片封裝的管腳，接收外設接口發(fā)送裝置發(fā)送的低速協(xié)議激勵信號，對該激勵信號進行解析、轉換后得到AMBA總線協(xié)議的激勵信號，再通過AMBA總線發(fā)送至待測芯片的目標地址模塊，以對芯片的目標模塊寄存器進行訪問。本發(fā)明改進了芯片回片階段的測試和調試手段，可以對傳統(tǒng)調測方案進行補充或替

國家知識產權局信息顯示，國網(wǎng)河南省電力公司電力科學研究院、河海大學、國網(wǎng)河南省電力公司申請一項名為“多饋入?yún)f(xié)同的特高壓直流換相失敗抑制及穩(wěn)定控制方法、裝置、設備及介質”的專利，公開號CN121356008A，申請日期為2025年10月。專利摘要顯示，本發(fā)明屬于電力系統(tǒng)控制領域，具體涉及一種多饋入?yún)f(xié)同的特高壓直流換相失敗抑制及穩(wěn)定控制方法。本發(fā)明方法通過工況分類模型精準識別正常工況與故障工況，利用時序預測模型預測未來多個預設時間點的預測狀態(tài)向量和第一預測關斷角，提前掌握系統(tǒng)狀態(tài)變化趨勢，為換相失敗的預防和抑制爭取時間，根據(jù)預測狀態(tài)向量對應的工況類別信息，確定目標起始狀態(tài)向量和目標終止狀態(tài)向量，根據(jù)這期間的預測狀態(tài)向量和第一預測關斷角確定目標優(yōu)化損失，并更新參考調制參數(shù)，實現(xiàn)了對調制參數(shù)的動態(tài)優(yōu)

國家知識產權局信息顯示，國網(wǎng)上海市電力公司申請一項名為“考慮V2G充電樁無功需求響應的充電站分層優(yōu)化方法、設備及介質”的專利，公開號CN121332587A，申請日期為2025年9月。專利摘要顯示，本發(fā)明涉及一種考慮V2G充電樁無功需求響應的充電站分層優(yōu)化方法、設備及介質，將充電需求輸入電動汽車分組模型中得到若干分組，在上層優(yōu)化模型中以充電成本最小化為目標進行求解，得到最優(yōu)充放電功率和無功功率范圍；在下層優(yōu)化模型中以配電網(wǎng)節(jié)點整體電壓偏差最小為目標進行求解，得到各充電站的無功補償量，再根據(jù)上層優(yōu)化模型得到的最優(yōu)充放電功率，計算配電網(wǎng)節(jié)點電壓變化狀態(tài)方程，進行電壓變化預測。通過V2G充電樁的剩余容量對充電站所在的配電網(wǎng)節(jié)點進行無功補償，提高配電網(wǎng)整體電壓質量。與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明具有協(xié)同性高

國家知識產權局信息顯示，華北電力大學;國網(wǎng)福建省電力有限公司電力科學研究院;國網(wǎng)福建省電力有限公司申請一項名為“一種新能源經直流送出系統(tǒng)的暫態(tài)過電壓抑制方法及裝置”的專利，公開號CN121355892A，申請日期為2025年10月。專利摘要顯示，本申請公開了一種新能源經直流送出系統(tǒng)的暫態(tài)過電壓抑制方法及裝置，涉及新能源并網(wǎng)技術領域，該方法包括計算直流送出系統(tǒng)的送端交流母線的直流電流可行域，在換相失敗情況下，在所述直流電流可行域的約束下，輸出直流電流指令；所述直流送出系統(tǒng)包括換相失敗情況和正常工況兩種情況；構建新能源二階滑模無功控制策略；在換相失敗情況下，采用所述新能源二階滑模無功控制策略對所述新能源并網(wǎng)逆變器的電流分量、直流側電壓和無功功率指令值進行控制，本申請可降低了送端的無功冗余，抑制了

國家知識產權局信息顯示，芯瞳半導體技術（廈門）有限公司申請一項名為“多核芯片的操作方法、設計方法及多核芯片”的專利，公開號CN121351726A，申請日期為2025年12月。專利摘要顯示，本公開涉及半導體設計與制造的技術領域，具體涉及一種多核芯片的操作方法、設計方法及多核芯片。本公開的技術方案將可接受制造缺陷的電路邏輯分為第一邏輯分組，不可接受制造缺陷的電路邏輯分為第二邏輯分組；通過讀取多核芯片上至少一個計算核心的缺陷狀態(tài)，可以確定出計算核心內可接受制造缺陷的第一邏輯分組的可用性；在缺陷狀態(tài)指示第一邏輯分組不可用時，配置計算核心內的控制寄存器關閉第一邏輯分組，同時保持計算核心內不可接受制造缺陷的第二邏輯分組處于運行狀態(tài)，不影響計算核心的功能電路邏輯。該技術方案使多核芯片可接受制造缺陷的電路

高壓放大器在半導體測試中扮演著“能量助推器”和“精密指揮官”的角色，它將測試設備產生的微弱控制信號精準放大到數(shù)百甚至數(shù)千伏的高壓，以滿足各種嚴苛的測試條件。下面將詳細介紹它在幾個關鍵測試場景中的具體作用以及需求。介電擊穿測試：對芯片的絕緣層施加從低到高（可達±20kV）的直流或掃描電壓，分析其絕緣失效的臨界點。需求：高輸出電壓、低噪聲（<100μVrms）、精確的電壓控制。芯片老化測試（如功率器件）：施加高于正常工作電壓的應力，加速芯片老化，以評估其長期可靠性。需求：高電壓/電流輸出、長期穩(wěn)定性、良好的過溫與過流保護機制。壓電陶瓷驅動（MEMS傳感器）：驅動微機電系統(tǒng)中的壓電元件，實現(xiàn)精密運動或傳感。需求：能夠驅動容性負載、高輸出電流（峰值可達百mA級）、四象限輸出。晶體管參數(shù)測試：為