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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，芯瞳半導(dǎo)體技術(shù)（廈門）有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“多核芯片的操作方法、設(shè)計(jì)方法及多核芯片”的專利，公開號(hào)CN121351726A，申請(qǐng)日期為2025年12月。專利摘要顯示，本公開涉及半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造的技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種多核芯片的操作方法、設(shè)計(jì)方法及多核芯片。本公開的技術(shù)方案將可接受制造缺陷的電路邏輯分為第一邏輯分組，不可接受制造缺陷的電路邏輯分為第二邏輯分組；通過(guò)讀取多核芯片上至少一個(gè)計(jì)算核心的缺陷狀態(tài)，可以確定出計(jì)算核心內(nèi)可接受制造缺陷的第一邏輯分組的可用性；在缺陷狀態(tài)指示第一邏輯分組不可用時(shí)，配置計(jì)算核心內(nèi)的控制寄存器關(guān)閉第一邏輯分組，同時(shí)保持計(jì)算核心內(nèi)不可接受制造缺陷的第二邏輯分組處于運(yùn)行狀態(tài)，不影響計(jì)算核心的功能電路邏輯。該技術(shù)方案使多核芯片可接受制造缺陷的電路

高壓放大器在半導(dǎo)體測(cè)試中扮演著“能量助推器”和“精密指揮官”的角色，它將測(cè)試設(shè)備產(chǎn)生的微弱控制信號(hào)精準(zhǔn)放大到數(shù)百甚至數(shù)千伏的高壓，以滿足各種嚴(yán)苛的測(cè)試條件。下面將詳細(xì)介紹它在幾個(gè)關(guān)鍵測(cè)試場(chǎng)景中的具體作用以及需求。介電擊穿測(cè)試：對(duì)芯片的絕緣層施加從低到高（可達(dá)±20kV）的直流或掃描電壓，分析其絕緣失效的臨界點(diǎn)。需求：高輸出電壓、低噪聲（<100μVrms）、精確的電壓控制。芯片老化測(cè)試（如功率器件）：施加高于正常工作電壓的應(yīng)力，加速芯片老化，以評(píng)估其長(zhǎng)期可靠性。需求：高電壓/電流輸出、長(zhǎng)期穩(wěn)定性、良好的過(guò)溫與過(guò)流保護(hù)機(jī)制。壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)（MEMS傳感器）：驅(qū)動(dòng)微機(jī)電系統(tǒng)中的壓電元件，實(shí)現(xiàn)精密運(yùn)動(dòng)或傳感。需求：能夠驅(qū)動(dòng)容性負(fù)載、高輸出電流（峰值可達(dá)百mA級(jí)）、四象限輸出。晶體管參數(shù)測(cè)試：為

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，杭州旗捷科技股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種耗材芯片的升級(jí)方法和升級(jí)電路”的專利，公開號(hào)CN121340789A，申請(qǐng)日期為2025年10月。專利摘要顯示，本發(fā)明實(shí)施例公開了一種耗材芯片的升級(jí)方法和升級(jí)電路。耗材芯片的升級(jí)電路包括：信號(hào)選擇模塊、信號(hào)處理模塊、耗材接口模塊和控制器；信號(hào)選擇模塊與電源以及控制器電連接，信號(hào)處理模塊、耗材接口模塊與控制器電連接，信號(hào)選擇模塊和信號(hào)處理模塊均與耗材接口模塊電連接；方法由控制器執(zhí)行，方法包括：控制信號(hào)選擇模塊的工作狀態(tài)；當(dāng)耗材接口模塊與耗材芯片接觸時(shí)，向耗材接口模塊傳輸電平信號(hào)，接收耗材接口模塊傳輸?shù)牡谝恍盘?hào)以及信號(hào)選擇模塊傳輸?shù)牡诙盘?hào)；根據(jù)第一信號(hào)和第二信號(hào)，確定耗材芯片的狀態(tài)和類型；根據(jù)耗材芯片的狀態(tài)和類型，控制信號(hào)選擇模