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描述：LN5068 是一款采用恒定頻率、電流模式架構(gòu)、雙路輸出的高效率同步 DC/DC 降壓穩(wěn)壓器。該芯片具備可調(diào)輸出電壓型和固定輸出電壓型（1.2V、1.8V、3.3V）版本。內(nèi)置 PWM/PFM自動(dòng)切換功能，在全負(fù)載范圍內(nèi)具有低紋波、高效率特性。內(nèi)部開(kāi)關(guān)頻率高達(dá) 1.2MHz，可采用小表面貼片型元件。100％占空比實(shí)現(xiàn)了低壓2V操作，并延長(zhǎng)了前級(jí)電池壽命。特征：高效率：92％雙路600mA輸出電流2V至6.0V輸入電壓范圍全負(fù)載范圍低紋波輸出電壓小于1μA關(guān)斷電流過(guò)熱過(guò)流保護(hù)應(yīng)用：手機(jī)PDAMP3數(shù)碼相機(jī)便攜式儀表筆記本電腦

東科半導(dǎo)體自2020年以來(lái)持續(xù)深耕合封芯片領(lǐng)域，先后推出業(yè)內(nèi)首款全合封氮化鎵不對(duì)稱半橋產(chǎn)品、業(yè)界唯一的全合封高壓有源箝位反激（ACF）芯片、合封準(zhǔn)諧振（QR）反激芯片，以及高集成度的同步整流合封芯片系列，這些產(chǎn)品在簡(jiǎn)化外圍器件、降低調(diào)試難度和控制成本上取得了成功 。通過(guò)將功率器件、驅(qū)動(dòng)和控制器合而為一，可有效減少PCB面積和連線寄生，提升系統(tǒng)集成度與可靠性。在 3 月 28 日舉行的 2025（春季）亞洲充電展·亞洲充電大會(huì)上，東科半導(dǎo)體曾預(yù)告將推出全新的合封 PFC 芯片 DK83XX 系列。近日，首款產(chǎn)品 DK8318 正式發(fā)布，將 700V/101mΩ GaN 功率管與 CRM/DCM PFC 控制器高度集成于 ESOP16L 封裝，配合谷底導(dǎo)通、輸出電壓分段、輸入功率補(bǔ)償以及極低待機(jī)

推薦指數(shù)：★★★★☆在電子設(shè)備高度普及的今天，充電管理芯片已成為保障設(shè)備安全、高效充電的核心組件。無(wú)論是智能手機(jī)、平板電腦，還是智能家居、工業(yè)設(shè)備，其充電系統(tǒng)的穩(wěn)定性與效率直接取決于芯片的性能。作為連接電源與電池的“橋梁”，充電管理芯片需具備精準(zhǔn)的電壓電流控制、多重保護(hù)機(jī)制以及廣泛的電池兼容性，以滿足不同場(chǎng)景下的充電需求。本文將聚焦充電管理芯片領(lǐng)域，從技術(shù)特點(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景及****企業(yè)等維度展開(kāi)深度解析，為讀者提供客觀、專業(yè)的參考。充電管理芯片的應(yīng)用場(chǎng)景極為廣泛，覆蓋消費(fèi)電子、工業(yè)控制、新能源等多個(gè)領(lǐng)域。在消費(fèi)電子領(lǐng)域，手機(jī)、耳機(jī)、智能手表等設(shè)備需通過(guò)芯片實(shí)現(xiàn)快速充電、低功耗待機(jī)及電池健康管理；在工業(yè)領(lǐng)域，無(wú)人機(jī)、機(jī)器人等設(shè)備則依賴芯片支持大電流充電與復(fù)雜環(huán)境下的穩(wěn)定性；新能源領(lǐng)域中，儲(chǔ)能系統(tǒng)

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，深圳歐陸通電子股份有限公司取得一項(xiàng)名為“尖峰電壓控制電路及同步整流開(kāi)關(guān)電源”的專利，授權(quán)公告號(hào)CN117200561B，申請(qǐng)日期為2023年9月。天眼查資料顯示，深圳歐陸通電子股份有限公司，成立于1996年，位于深圳市，是一家以從事計(jì)算機(jī)、通信和其他電子設(shè)備制造業(yè)為主的企業(yè)。企業(yè)注冊(cè)資本10175.2萬(wàn)人民幣。通過(guò)天眼查大數(shù)據(jù)分析，深圳歐陸通電子股份有限公司共對(duì)外投資了8家企業(yè)，參與招投標(biāo)項(xiàng)目276次，財(cái)產(chǎn)線索方面有商標(biāo)信息105條，專利信息240條，此外企業(yè)還擁有行政許可37個(gè)。聲明：市場(chǎng)有風(fēng)險(xiǎn)，投資需謹(jǐn)慎。本文為AI基于第三方數(shù)據(jù)生成，僅供參考，不構(gòu)成個(gè)人投資建議。

目前市場(chǎng)上的100V以上的高壓DCDC電源芯片雖然種類繁多，但是電流普遍偏小，難以滿足一些大功率應(yīng)用的需求。針對(duì)這一市場(chǎng)痛點(diǎn)，我司特研發(fā)出了一款150V 2.5A的降壓恒壓芯片，該芯片不僅具有高電壓輸入能力，還具備大電流輸出的特點(diǎn)，能夠廣泛應(yīng)用于各種需要高功率、高效率、低功耗的電源轉(zhuǎn)換的場(chǎng)景。尤其在應(yīng)對(duì)潛在的熱拔插應(yīng)用場(chǎng)景方面有出色的表現(xiàn)。◆ 支持高耐壓150V◆ 高恒壓精度高◆ 2.5A持續(xù)大電流，低功耗◆ 高工作轉(zhuǎn)換效率，可達(dá)95%◆ 輸出電壓可調(diào)≥3.3V◆ 動(dòng)態(tài)響應(yīng)優(yōu)異，線性和負(fù)載調(diào)整良好◆ 集成軟啟動(dòng)、過(guò)流保護(hù)OCP、過(guò)熱保護(hù)OTP、短路保護(hù)SCP◆ 針對(duì)頻繁熱拔插使用場(chǎng)景有出色的表現(xiàn)

1月8日消息，據(jù)上交所數(shù)據(jù)顯示，截至 10:02，上證指數(shù)上漲 0.04%，科創(chuàng)芯片指數(shù)上漲 2.93%，個(gè)股方面，海光信息漲超 13%，芯原股份漲超 7%，寒武紀(jì) - U 漲超 5%，華虹公司漲超 4%，晶晨股份、中芯國(guó)際等漲超 3%，滬硅產(chǎn)業(yè)漲超 2%，華海清科漲超 1%，中微公司跟漲。熱門 ETF 方面，科創(chuàng)芯片 ETF（588200）漲 3.01%，盤中成交額達(dá) 14.25 億元，換手率達(dá) 3.30%。天天基金網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示，該基金近 6 月漲 70.55%，近 1 年漲 78.20%。消息面上，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體技術(shù)取得重大突破，首條二維半導(dǎo)體工程化示范工藝線于 1 月 6 日在上海浦東川沙成功點(diǎn)亮，預(yù)計(jì)今年 6 月通線，標(biāo)志著我國(guó)在新一代芯片材料領(lǐng)域邁出關(guān)鍵一步；全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)進(jìn)入 “超級(jí)

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，安測(cè)半導(dǎo)體技術(shù)（義烏）有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種電源芯片測(cè)試方法及裝置”的專利，公開(kāi)號(hào)CN121324898A，申請(qǐng)日期為2025年11月。專利摘要顯示，本發(fā)明屬于芯片測(cè)試（晶圓測(cè)試）領(lǐng)域，為了解決在電源芯片的測(cè)試過(guò)程中，通常需要人工連線，由于連線較多，導(dǎo)致作業(yè)效率較低，而且經(jīng)常出現(xiàn)連線錯(cuò)誤的問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種電源芯片測(cè)試方法及裝置，該裝置包括：連接單元，所述連接單元包括多個(gè)測(cè)試針，所述測(cè)試針與待測(cè)晶圓連接；探針單元，所述探針單元包括多個(gè)探針，通過(guò)探針與連接單元連接；測(cè)試電路單元，所述測(cè)試電路單元與探針單元的探針連接，用于發(fā)出測(cè)試信號(hào)；處理單元，用于根據(jù)所述測(cè)試電路單元發(fā)出的信號(hào)，對(duì)待測(cè)晶圓進(jìn)行電壓測(cè)試。本發(fā)明中連接單元直接通過(guò)探針單元與測(cè)試電路單元連接，不再需要

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，眸芯科技（上海）有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“芯片調(diào)測(cè)系統(tǒng)及方法”的專利，公開(kāi)號(hào)CN121210229A，申請(qǐng)日期為2025年9月。專利摘要顯示，本發(fā)明公開(kāi)了芯片調(diào)測(cè)系統(tǒng)及方法，涉及芯片開(kāi)發(fā)技術(shù)領(lǐng)域。所述系統(tǒng)包括待測(cè)芯片端和外設(shè)接口發(fā)送裝置，外設(shè)接口發(fā)送裝置設(shè)置在待測(cè)芯片端外部，與待測(cè)芯片通過(guò)管腳連接線連接，用于向待測(cè)芯片發(fā)送不同類型的低速協(xié)議激勵(lì)信號(hào)；待測(cè)芯片的內(nèi)部嵌入有協(xié)議轉(zhuǎn)換裝置，其被配置為：通過(guò)待測(cè)芯片封裝的管腳，接收外設(shè)接口發(fā)送裝置發(fā)送的低速協(xié)議激勵(lì)信號(hào)，對(duì)該激勵(lì)信號(hào)進(jìn)行解析、轉(zhuǎn)換后得到AMBA總線協(xié)議的激勵(lì)信號(hào)，再通過(guò)AMBA總線發(fā)送至待測(cè)芯片的目標(biāo)地址模塊，以對(duì)芯片的目標(biāo)模塊寄存器進(jìn)行訪問(wèn)。本發(fā)明改進(jìn)了芯片回片階段的測(cè)試和調(diào)試手段，可以對(duì)傳統(tǒng)調(diào)測(cè)方案進(jìn)行補(bǔ)充或替

1月7日，據(jù)上交所數(shù)據(jù)顯示，截至09:58，上證指數(shù)上漲0.14%，科創(chuàng)芯片指數(shù)上漲2.13%，個(gè)股方面，中微公司漲超6%，瀾起科技漲超4%，華海清科漲超3%，滬硅產(chǎn)業(yè)漲超2%，華虹公司漲超1%。熱門ETF方面，科創(chuàng)芯片ETF（588200）漲2.04%，盤中成交額達(dá)12.90億元，換手率達(dá)2.99%。天天基金網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示，該基金近6月漲65.69%。消息面上，全球存儲(chǔ)芯片供應(yīng)持續(xù)緊張、價(jià)格飆升，三星電子與SK海力士計(jì)劃2026年第一季度將服務(wù)器DRAM價(jià)格較2025年第四季度提升60%至70%，PC及智能手機(jī)用DRAM同步漲價(jià)，NAND Flash合約價(jià)預(yù)計(jì)持續(xù)上漲33-38%，2025 年DDR4 16Gb漲幅高達(dá)1800%，DDR5 16Gb漲幅達(dá)500%，行業(yè)預(yù)計(jì)2027年前存儲(chǔ)芯片價(jià)

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，杭州旗捷科技股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種耗材芯片的升級(jí)方法和升級(jí)電路”的專利，公開(kāi)號(hào)CN121340789A，申請(qǐng)日期為2025年10月。專利摘要顯示，本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種耗材芯片的升級(jí)方法和升級(jí)電路。耗材芯片的升級(jí)電路包括：信號(hào)選擇模塊、信號(hào)處理模塊、耗材接口模塊和控制器；信號(hào)選擇模塊與電源以及控制器電連接，信號(hào)處理模塊、耗材接口模塊與控制器電連接，信號(hào)選擇模塊和信號(hào)處理模塊均與耗材接口模塊電連接；方法由控制器執(zhí)行，方法包括：控制信號(hào)選擇模塊的工作狀態(tài)；當(dāng)耗材接口模塊與耗材芯片接觸時(shí)，向耗材接口模塊傳輸電平信號(hào)，接收耗材接口模塊傳輸?shù)牡谝恍盘?hào)以及信號(hào)選擇模塊傳輸?shù)牡诙盘?hào)；根據(jù)第一信號(hào)和第二信號(hào)，確定耗材芯片的狀態(tài)和類型；根據(jù)耗材芯片的狀態(tài)和類型，控制信號(hào)選擇模