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GEK100系列，純硬件開(kāi)關(guān)機(jī)芯片，不用擔(dān)心死機(jī)問(wèn)題的開(kāi)關(guān)機(jī)芯片，及一鍵開(kāi)關(guān)機(jī)芯片的發(fā)展趨勢(shì)分析

純硬件開(kāi)關(guān)機(jī)芯片GEK100系列，不用擔(dān)心死機(jī)問(wèn)題的開(kāi)關(guān)機(jī)芯片，及一鍵開(kāi)關(guān)機(jī)芯片的發(fā)展趨勢(shì)分析在智能電子設(shè)備全面普及的今天，用戶對(duì)設(shè)備穩(wěn)定性的要求愈發(fā)嚴(yán)苛，而開(kāi)關(guān)機(jī)功能作為設(shè)備與用戶交互的第一道門(mén)檻，其可靠性直接決定了產(chǎn)品的用戶體驗(yàn)與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。然而，當(dāng)前市面上多數(shù)電子設(shè)備仍受困于開(kāi)關(guān)機(jī)過(guò)程中的死機(jī)難題——當(dāng)設(shè)備遭遇程序跑飛、供電不穩(wěn)、電磁干擾或ESD靜電沖擊時(shí)，往往會(huì)陷入“變磚”狀態(tài)，任何操作都無(wú)法響應(yīng)，只能通過(guò)斷電、拔電源或扣電池的方式強(qiáng)制重啟。這一問(wèn)題不僅給用戶帶來(lái)極大不便，尤其對(duì)鋰電池供電設(shè)備用戶極不友好，還迫使開(kāi)發(fā)者額外增設(shè)復(fù)位按鍵，增加了研發(fā)成本與電路復(fù)雜度。在此背景下，純硬件架構(gòu)的開(kāi)關(guān)機(jī)芯片應(yīng)運(yùn)而生，其中GEK100系列憑借卓越的穩(wěn)定性與適配性，為行業(yè)提供了“不用擔(dān)心死機(jī)”的優(yōu)

查看 >>2026-02-04

芯瞳半導(dǎo)體申請(qǐng)多核芯片的操作、設(shè)計(jì)方法及芯片專利，提高多核芯片制造的整體良率

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，芯瞳半導(dǎo)體技術(shù)（廈門(mén)）有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“多核芯片的操作方法、設(shè)計(jì)方法及多核芯片”的專利，公開(kāi)號(hào)CN121351726A，申請(qǐng)日期為2025年12月。專利摘要顯示，本公開(kāi)涉及半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造的技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種多核芯片的操作方法、設(shè)計(jì)方法及多核芯片。本公開(kāi)的技術(shù)方案將可接受制造缺陷的電路邏輯分為第一邏輯分組，不可接受制造缺陷的電路邏輯分為第二邏輯分組；通過(guò)讀取多核芯片上至少一個(gè)計(jì)算核心的缺陷狀態(tài)，可以確定出計(jì)算核心內(nèi)可接受制造缺陷的第一邏輯分組的可用性；在缺陷狀態(tài)指示第一邏輯分組不可用時(shí)，配置計(jì)算核心內(nèi)的控制寄存器關(guān)閉第一邏輯分組，同時(shí)保持計(jì)算核心內(nèi)不可接受制造缺陷的第二邏輯分組處于運(yùn)行狀態(tài)，不影響計(jì)算核心的功能電路邏輯。該技術(shù)方案使多核芯片可接受制造缺陷的電路

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科創(chuàng)芯片設(shè)計(jì)板塊領(lǐng)漲市場(chǎng)，科創(chuàng)芯片設(shè)計(jì)ETF易方達(dá)(589030)沖高漲超6%，重要部門(mén)發(fā)聲：加快突破訓(xùn)練芯片、異構(gòu)算力等關(guān)鍵技術(shù)

來(lái)源：界面新聞截至2026年1月21日 11:11，上證科創(chuàng)板芯片設(shè)計(jì)主題指數(shù)(950162)強(qiáng)勢(shì)上漲5.48%，科創(chuàng)芯片設(shè)計(jì)ETF易方達(dá)(589030)一度漲超6%，現(xiàn)漲5.46%，盤(pán)中換手32.78%，成交9733.35萬(wàn)元，市場(chǎng)交投活躍。消息面上，國(guó)務(wù)院新聞辦公室舉行新聞發(fā)布會(huì)，請(qǐng)工業(yè)和信息化部相關(guān)負(fù)責(zé)人介紹2025年工業(yè)和信息化發(fā)展成效以及下一步部署。他表示，下一步，我們將抓好技術(shù)創(chuàng)新，加快突破訓(xùn)練芯片、異構(gòu)算力等關(guān)鍵技術(shù)。抓好融合應(yīng)用，聚焦軟件編程、新材料研發(fā)、醫(yī)藥研發(fā)、信息通信等行業(yè)領(lǐng)域，體系化推動(dòng)大小模型、智能體實(shí)現(xiàn)突破。AI算力需求持續(xù)爆發(fā)，推動(dòng)先進(jìn)制程技術(shù)加速迭代。財(cái)通證券指出，臺(tái)積電2025年第四季度營(yíng)收創(chuàng)歷史新高，先進(jìn)制程（7nm及以下）營(yíng)收占比提升至77%，其中3nm

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H6253K寬電壓降壓恒壓芯片120V降5V 150V降5V 48V降5V DC-DC電源管理芯片原廠直供性價(jià)比高

目前市場(chǎng)上的100V以上的高壓DCDC電源芯片雖然種類(lèi)繁多，但是電流普遍偏小，難以滿足一些大功率應(yīng)用的需求。針對(duì)這一市場(chǎng)痛點(diǎn)，我司特研發(fā)出了一款150V 2.5A的降壓恒壓芯片，該芯片不僅具有高電壓輸入能力，還具備大電流輸出的特點(diǎn)，能夠廣泛應(yīng)用于各種需要高功率、高效率、低功耗的電源轉(zhuǎn)換的場(chǎng)景。尤其在應(yīng)對(duì)潛在的熱拔插應(yīng)用場(chǎng)景方面有出色的表現(xiàn)?！?支持高耐壓150V◆ 高恒壓精度高◆ 2.5A持續(xù)大電流，低功耗◆ 高工作轉(zhuǎn)換效率，可達(dá)95%◆ 輸出電壓可調(diào)≥3.3V◆ 動(dòng)態(tài)響應(yīng)優(yōu)異，線性和負(fù)載調(diào)整良好◆ 集成軟啟動(dòng)、過(guò)流保護(hù)OCP、過(guò)熱保護(hù)OTP、短路保護(hù)SCP◆ 針對(duì)頻繁熱拔插使用場(chǎng)景有出色的表現(xiàn)

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嘉拓微科技取得設(shè)有散熱結(jié)構(gòu)的電源芯片專利，有助于提高電源晶片的安全性和使用壽命

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，深圳市嘉拓微科技有限公司取得一項(xiàng)名為“一種設(shè)有散熱結(jié)構(gòu)的電源芯片”的專利，授權(quán)公告號(hào)CN223816409U，申請(qǐng)日期為2025年2月。專利摘要顯示，本實(shí)用新型公開(kāi)了一種設(shè)有散熱結(jié)構(gòu)的電源芯片，涉及電子元件技術(shù)領(lǐng)域。包括塑封外殼，塑封外殼中安裝有引線框架，且引線框架的兩側(cè)設(shè)有引腳，引線框架上設(shè)有焊盤(pán)，且焊盤(pán)上焊接有電源晶片，焊盤(pán)的底部安裝有內(nèi)均熱板，塑封外殼的底部嵌裝有導(dǎo)熱銅片，且導(dǎo)熱銅片的頂部通過(guò)導(dǎo)熱膏與內(nèi)均熱板的底部相貼合。該設(shè)有散熱結(jié)構(gòu)的電源芯片，在引線框架的焊盤(pán)底部設(shè)置有內(nèi)均熱板，在塑封外殼的頂部設(shè)置有外均熱板，根據(jù)均熱板的散熱特性，其能夠均勻分布電源晶片運(yùn)行時(shí)的熱量，防止局部過(guò)熱，有助于提高電源晶片的安全性和使用壽命，通過(guò)導(dǎo)熱介質(zhì)將熱量傳導(dǎo)至外界環(huán)境中，實(shí)現(xiàn)

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科力電子取得電源電路和電源設(shè)備專利，提升電源電路的效率

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，廈門(mén)市科力電子有限公司取得一項(xiàng)名為“電源電路和電源設(shè)備”的專利，授權(quán)公告號(hào)CN223785969U，申請(qǐng)日期為2025年1月。專利摘要顯示，本實(shí)用新型公開(kāi)了一種電源電路和電源設(shè)備，屬于電源技術(shù)領(lǐng)域。所述電源電路包括：電源輸入端、輸入濾波電路、升壓電路、溫控開(kāi)關(guān)電路、反激電路、輸出整流電路、協(xié)議電路和電源輸出端，其中，反激電路包括電連接的一次啟動(dòng)電路和第一控制芯片，溫控開(kāi)關(guān)電路分別與輸入濾波電路和一次啟動(dòng)電路電連接。溫控開(kāi)關(guān)電路能夠?qū)崟r(shí)檢測(cè)電源電路的溫度，并能夠在第一控制芯片啟動(dòng)時(shí)接通，在第一控制芯片啟動(dòng)后關(guān)斷，使得一次啟動(dòng)電路斷電，可以減小電源電路的功耗，提升電源電路的效率，還能夠減小啟動(dòng)電路的故障率。天眼查資料顯示，廈門(mén)市科力電子有限公司，成立于2002年，位于廈門(mén)

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安克創(chuàng)新取得電源電路及電源設(shè)備專利，降低了電源電路的成本

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，安克創(chuàng)新科技股份有限公司取得一項(xiàng)名為“電源電路及電源設(shè)備”的專利，授權(quán)公告號(hào)CN223829086U，申請(qǐng)日期為2025年1月。專利摘要顯示，本申請(qǐng)公開(kāi)了電源電路及電源設(shè)備，該電源電路包括第一電池模塊和至少一個(gè)第二電池模塊；第一電池模塊包括第一電池和第一充放電開(kāi)關(guān)單元以及第一并機(jī)端，第一電池和第一充放電開(kāi)關(guān)單元連接；第二電池模塊包括第二電池、第二充放電開(kāi)關(guān)單元和直流轉(zhuǎn)換電路以及第二并機(jī)端，第二電池的連接第二充放電開(kāi)關(guān)單元以及直流轉(zhuǎn)換電路，第二充放電開(kāi)關(guān)單元和直流轉(zhuǎn)換電路并聯(lián)，其中第一電池模塊和至第二電池模塊通過(guò)第一并機(jī)端和第二并機(jī)端連接?；谏鲜龇绞剑诓挥绊戨娫措娐返墓╇娔芰Φ那闆r下，降低了電源電路的成本。天眼查資料顯示，安克創(chuàng)新科技股份有限公司，成立于2011年，

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維沃申請(qǐng)芯片及芯片控制方法專利，控制器控制目標(biāo)切換開(kāi)關(guān)導(dǎo)通

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，維沃移動(dòng)通信有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“芯片及芯片控制方法”的專利，公開(kāi)號(hào)CN121261685A，申請(qǐng)日期為2025年9月。專利摘要顯示，本申請(qǐng)公開(kāi)了一種芯片及芯片控制方法，該芯片包括：第一開(kāi)關(guān)，第一開(kāi)關(guān)的第一端與芯片的輸入端電連接，第一開(kāi)關(guān)的第二端與芯片的輸出端電連接；第二開(kāi)關(guān)，上述第二開(kāi)關(guān)的第一端與輸入端電連接，第二開(kāi)關(guān)的第二端與芯片的接地平面連接；N個(gè)節(jié)點(diǎn)電容，每個(gè)節(jié)點(diǎn)電容包括相互串聯(lián)的切換開(kāi)關(guān)和電容，各個(gè)節(jié)點(diǎn)電容、以及第二開(kāi)關(guān)之間并聯(lián)；控制器，控制器與各個(gè)切換開(kāi)關(guān)的控制端電連接，初始狀態(tài)下，控制器控制各個(gè)切換開(kāi)關(guān)斷開(kāi)，在第一開(kāi)關(guān)的第一端的第一電壓信號(hào)與第二開(kāi)關(guān)的第一端的第二電壓信號(hào)之間的差值高于預(yù)設(shè)閾值的情況下，控制器控制目標(biāo)切換開(kāi)關(guān)導(dǎo)通。天眼查資料顯示，維沃移動(dòng)

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EC6D-5BD開(kāi)關(guān)機(jī)芯片DFN封裝低功耗國(guó)產(chǎn)手電筒電子開(kāi)關(guān)芯片

EC6D-5BD電子開(kāi)關(guān)芯片是一款基于CMOS制造工藝設(shè)計(jì)的低功耗集成電路，其獨(dú)特的功能特性和緊湊的封裝形式使其在各類(lèi)電子設(shè)備中展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用潛力。該芯片將傳統(tǒng)機(jī)械開(kāi)關(guān)的功能電子化，通過(guò)智能化的觸發(fā)邏輯實(shí)現(xiàn)了更靈活的控制方式，同時(shí)其超低功耗特性顯著延長(zhǎng)了電池供電設(shè)備的續(xù)航時(shí)間。一、核心功能與典型應(yīng)用場(chǎng)景該芯片最顯著的特點(diǎn)是具備雙工作模式，通過(guò)OPT引腳的不同連接方式可實(shí)現(xiàn)完全不同的功能。當(dāng)OPT懸空時(shí)，芯片工作于標(biāo)準(zhǔn)電子開(kāi)關(guān)模式：上電后Out引腳默認(rèn)輸出高電平（對(duì)應(yīng)LED熄滅狀態(tài)），每次觸發(fā)Key按鍵時(shí)輸出狀態(tài)翻轉(zhuǎn)，這種特性使其成為替代機(jī)械開(kāi)關(guān)的理想選擇。在實(shí)際應(yīng)用中，這種模式可廣泛用于智能家居控制面板、便攜式電子設(shè)備的電源管理以及工業(yè)控制系統(tǒng)的信號(hào)切換等場(chǎng)景。值得注意的是，OPT引腳接地

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濟(jì)南晶碩電子取得芯片厚度檢測(cè)裝置專利，利用高精度直線電機(jī)配合高分辨率的對(duì)射式光電開(kāi)關(guān)完成芯片厚度檢測(cè)

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，濟(jì)南晶碩電子有限公司取得一項(xiàng)名為“一種芯片厚度檢測(cè)裝置”的專利，授權(quán)公告號(hào)CN223755989U，申請(qǐng)日期為2025年3月。專利摘要顯示，本申請(qǐng)涉及芯片厚度檢測(cè)設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種芯片厚度檢測(cè)裝置，包括承載座、芯片上下移動(dòng)裝置、對(duì)射式光電開(kāi)關(guān)以及控制裝置，承載座兩側(cè)上方固定設(shè)有側(cè)梁；芯片上下移動(dòng)裝置用于承載芯片和控制芯片上下移動(dòng)；對(duì)射式光電開(kāi)關(guān)對(duì)稱設(shè)于芯片上下移動(dòng)裝置兩側(cè)的側(cè)梁上；控制裝置與對(duì)射式光電開(kāi)關(guān)和芯片上下移動(dòng)裝置電連接，用于根據(jù)芯片上下移動(dòng)裝置移動(dòng)的距離計(jì)算出芯片厚度。本申請(qǐng)的芯片厚度檢測(cè)裝置不需要測(cè)厚儀，利用高精度直線電機(jī)配合高分辨率的對(duì)射式光電開(kāi)關(guān)或者激光對(duì)射式傳感器完成芯片的厚度檢測(cè)。天眼查資料顯示，濟(jì)南晶碩電子有限公司，成立于2013年，位于

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