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用電負荷是指電力系統(tǒng)中所接入的用電設(shè)備所消耗的功率，也就是電流和電壓在一定時間間隔內(nèi)所做的功。按照不同的分類方式，用電負荷可以分為不同的類型。在實際工程中，可以根據(jù) 具體的情況選擇合適的負荷計算方法。同時，為了更加準確地預(yù)測和控制電能使用情況，還需要結(jié)合先進的用電監(jiān)測和管理技術(shù)。 通過實時監(jiān)測用電設(shè)備的電流、電壓、功率因數(shù)等參數(shù)，可以更加準確地掌握設(shè)備的實際運行情況，并采取相應(yīng)的節(jié)能措施。那么用電負荷怎么計算？計算公式又是什么呢？下面跟著小編一起來學(xué)習(xí)一下吧。01用電負荷定義用電負荷是指用電客戶的用電設(shè)備在某一時刻實際取用的功率總和。從電力系統(tǒng)來講，則是指為了滿足用戶用電所需具備的發(fā)電出力。用電負荷是一個不斷變動的量，對一個地區(qū)而言，負荷變化的特性主要取決于用電行業(yè)結(jié)構(gòu)、地域、季節(jié)變化、經(jīng)濟

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，華能會理風(fēng)力發(fā)電有限公司;北京華能新銳控制技術(shù)有限公司;華能新能源股份有限公司;國電南瑞科技股份有限公司申請一項名為“新能源機組連續(xù)高低電壓故障穿越響應(yīng)控制方法、系統(tǒng)、設(shè)備及存儲介質(zhì)”的專利，公開號CN121282891A，申請日期為2025年10月。專利摘要顯示，本發(fā)明公開了新能源機組連續(xù)高低電壓故障穿越響應(yīng)控制方法、系統(tǒng)、設(shè)備及存儲介質(zhì)，涉及新能源發(fā)電并網(wǎng)控制技術(shù)領(lǐng)域，包括構(gòu)建基于機端電壓特征的故障狀態(tài)識別機制，對機組運行電壓狀態(tài)進行判定，生成每一狀態(tài)的穿越狀態(tài)標識；基于穿越狀態(tài)標識執(zhí)行動態(tài)無功支撐控制邏輯，依據(jù)電壓等級動態(tài)加載無功支撐指令，輸出當前電壓狀態(tài)的支撐輸出；基于無功支撐指令和支撐輸出，驅(qū)動穿越狀態(tài)機執(zhí)行多級切換控制，通過能量通道的分配邏輯統(tǒng)一控制高低壓

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，安測半導(dǎo)體技術(shù)（義烏）有限公司申請一項名為“一種電源芯片測試方法及裝置”的專利，公開號CN121324898A，申請日期為2025年11月。專利摘要顯示，本發(fā)明屬于芯片測試（晶圓測試）領(lǐng)域，為了解決在電源芯片的測試過程中，通常需要人工連線，由于連線較多，導(dǎo)致作業(yè)效率較低，而且經(jīng)常出現(xiàn)連線錯誤的問題，本發(fā)明提供了一種電源芯片測試方法及裝置，該裝置包括：連接單元，所述連接單元包括多個測試針，所述測試針與待測晶圓連接；探針單元，所述探針單元包括多個探針，通過探針與連接單元連接；測試電路單元，所述測試電路單元與探針單元的探針連接，用于發(fā)出測試信號；處理單元，用于根據(jù)所述測試電路單元發(fā)出的信號，對待測晶圓進行電壓測試。本發(fā)明中連接單元直接通過探針單元與測試電路單元連接，不再需要

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，上海艾為電子技術(shù)股份有限公司申請一項名為“一種控制方法、芯片、存儲介質(zhì)及電子設(shè)備”的專利，公開號CN121254685A，申請日期為2025年9月。專利摘要顯示，本申請實施例提供了一種控制方法，包括：接收第二設(shè)備發(fā)出的芯片控制指令，從所述芯片控制指令的位置地址中獲取位置控制指令和控制使能指令；基于所述位置控制指令和所述控制使能指令，控制所述第一設(shè)備同時進入位置控制模式和控制使能模式。本申請實現(xiàn)了提高通訊效率，保證多個芯片的協(xié)同操作，避免不同控制指令之間不同步產(chǎn)生導(dǎo)致預(yù)期之外的不穩(wěn)定控制。天眼查資料顯示，上海艾為電子技術(shù)股份有限公司，成立于2008年，位于上海市，是一家以從事軟件和信息技術(shù)服務(wù)業(yè)為主的企業(yè)。企業(yè)注冊資本23312.8636萬人民幣。通過天眼查大數(shù)據(jù)分析，

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，眸芯科技（上海）有限公司申請一項名為“芯片調(diào)測系統(tǒng)及方法”的專利，公開號CN121210229A，申請日期為2025年9月。專利摘要顯示，本發(fā)明公開了芯片調(diào)測系統(tǒng)及方法，涉及芯片開發(fā)技術(shù)領(lǐng)域。所述系統(tǒng)包括待測芯片端和外設(shè)接口發(fā)送裝置，外設(shè)接口發(fā)送裝置設(shè)置在待測芯片端外部，與待測芯片通過管腳連接線連接，用于向待測芯片發(fā)送不同類型的低速協(xié)議激勵信號；待測芯片的內(nèi)部嵌入有協(xié)議轉(zhuǎn)換裝置，其被配置為：通過待測芯片封裝的管腳，接收外設(shè)接口發(fā)送裝置發(fā)送的低速協(xié)議激勵信號，對該激勵信號進行解析、轉(zhuǎn)換后得到AMBA總線協(xié)議的激勵信號，再通過AMBA總線發(fā)送至待測芯片的目標地址模塊，以對芯片的目標模塊寄存器進行訪問。本發(fā)明改進了芯片回片階段的測試和調(diào)試手段，可以對傳統(tǒng)調(diào)測方案進行補充或替

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，國網(wǎng)上海市電力公司申請一項名為“考慮V2G充電樁無功需求響應(yīng)的充電站分層優(yōu)化方法、設(shè)備及介質(zhì)”的專利，公開號CN121332587A，申請日期為2025年9月。專利摘要顯示，本發(fā)明涉及一種考慮V2G充電樁無功需求響應(yīng)的充電站分層優(yōu)化方法、設(shè)備及介質(zhì)，將充電需求輸入電動汽車分組模型中得到若干分組，在上層優(yōu)化模型中以充電成本最小化為目標進行求解，得到最優(yōu)充放電功率和無功功率范圍；在下層優(yōu)化模型中以配電網(wǎng)節(jié)點整體電壓偏差最小為目標進行求解，得到各充電站的無功補償量，再根據(jù)上層優(yōu)化模型得到的最優(yōu)充放電功率，計算配電網(wǎng)節(jié)點電壓變化狀態(tài)方程，進行電壓變化預(yù)測。通過V2G充電樁的剩余容量對充電站所在的配電網(wǎng)節(jié)點進行無功補償，提高配電網(wǎng)整體電壓質(zhì)量。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有協(xié)同性高

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，華北電力大學(xué);國網(wǎng)福建省電力有限公司電力科學(xué)研究院;國網(wǎng)福建省電力有限公司申請一項名為“一種新能源經(jīng)直流送出系統(tǒng)的暫態(tài)過電壓抑制方法及裝置”的專利，公開號CN121355892A，申請日期為2025年10月。專利摘要顯示，本申請公開了一種新能源經(jīng)直流送出系統(tǒng)的暫態(tài)過電壓抑制方法及裝置，涉及新能源并網(wǎng)技術(shù)領(lǐng)域，該方法包括計算直流送出系統(tǒng)的送端交流母線的直流電流可行域，在換相失敗情況下，在所述直流電流可行域的約束下，輸出直流電流指令；所述直流送出系統(tǒng)包括換相失敗情況和正常工況兩種情況；構(gòu)建新能源二階滑模無功控制策略；在換相失敗情況下，采用所述新能源二階滑模無功控制策略對所述新能源并網(wǎng)逆變器的電流分量、直流側(cè)電壓和無功功率指令值進行控制，本申請可降低了送端的無功冗余，抑制了

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，芯瞳半導(dǎo)體技術(shù)（廈門）有限公司申請一項名為“多核芯片的操作方法、設(shè)計方法及多核芯片”的專利，公開號CN121351726A，申請日期為2025年12月。專利摘要顯示，本公開涉及半導(dǎo)體設(shè)計與制造的技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種多核芯片的操作方法、設(shè)計方法及多核芯片。本公開的技術(shù)方案將可接受制造缺陷的電路邏輯分為第一邏輯分組，不可接受制造缺陷的電路邏輯分為第二邏輯分組；通過讀取多核芯片上至少一個計算核心的缺陷狀態(tài)，可以確定出計算核心內(nèi)可接受制造缺陷的第一邏輯分組的可用性；在缺陷狀態(tài)指示第一邏輯分組不可用時，配置計算核心內(nèi)的控制寄存器關(guān)閉第一邏輯分組，同時保持計算核心內(nèi)不可接受制造缺陷的第二邏輯分組處于運行狀態(tài)，不影響計算核心的功能電路邏輯。該技術(shù)方案使多核芯片可接受制造缺陷的電路

高壓放大器在半導(dǎo)體測試中扮演著“能量助推器”和“精密指揮官”的角色，它將測試設(shè)備產(chǎn)生的微弱控制信號精準放大到數(shù)百甚至數(shù)千伏的高壓，以滿足各種嚴苛的測試條件。下面將詳細介紹它在幾個關(guān)鍵測試場景中的具體作用以及需求。介電擊穿測試：對芯片的絕緣層施加從低到高（可達±20kV）的直流或掃描電壓，分析其絕緣失效的臨界點。需求：高輸出電壓、低噪聲（<100μVrms）、精確的電壓控制。芯片老化測試（如功率器件）：施加高于正常工作電壓的應(yīng)力，加速芯片老化，以評估其長期可靠性。需求：高電壓/電流輸出、長期穩(wěn)定性、良好的過溫與過流保護機制。壓電陶瓷驅(qū)動（MEMS傳感器）：驅(qū)動微機電系統(tǒng)中的壓電元件，實現(xiàn)精密運動或傳感。需求：能夠驅(qū)動容性負載、高輸出電流（峰值可達百mA級）、四象限輸出。晶體管參數(shù)測試：為