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1月8日消息，據(jù)上交所數(shù)據(jù)顯示，截至 10:02，上證指數(shù)上漲 0.04%，科創(chuàng)芯片指數(shù)上漲 2.93%，個(gè)股方面，海光信息漲超 13%，芯原股份漲超 7%，寒武紀(jì) - U 漲超 5%，華虹公司漲超 4%，晶晨股份、中芯國際等漲超 3%，滬硅產(chǎn)業(yè)漲超 2%，華海清科漲超 1%，中微公司跟漲。熱門 ETF 方面，科創(chuàng)芯片 ETF（588200）漲 3.01%，盤中成交額達(dá) 14.25 億元，換手率達(dá) 3.30%。天天基金網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示，該基金近 6 月漲 70.55%，近 1 年漲 78.20%。消息面上，國內(nèi)半導(dǎo)體技術(shù)取得重大突破，首條二維半導(dǎo)體工程化示范工藝線于 1 月 6 日在上海浦東川沙成功點(diǎn)亮，預(yù)計(jì)今年 6 月通線，標(biāo)志著我國在新一代芯片材料領(lǐng)域邁出關(guān)鍵一步；全球存儲(chǔ)芯片市場進(jìn)入 “超級

國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，微芯片技術(shù)股份有限公司申請一項(xiàng)名為“用于離散時(shí)間模擬前端的改善型離散時(shí)間線性均衡器”的專利，公開號CN121220010A，申請日期為2024年4月。專利摘要顯示，一種裝置包括離散時(shí)間線性均衡器電路。離散時(shí)間線性均衡器電路包括采樣和保持電路，該采樣和保持電路包括多個(gè)開關(guān)電容器電路。多個(gè)開關(guān)電容器電路至少包括預(yù)光標(biāo)抽頭的開關(guān)電容器電路、光標(biāo)抽頭的開關(guān)電容器電路和后光標(biāo)抽頭的開關(guān)電容器電路。時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)開關(guān)電路用于在第一時(shí)間段內(nèi)將預(yù)光標(biāo)抽頭的開關(guān)電容器電路的電容器可切換地耦合到信號輸入部，在第二時(shí)間段內(nèi)將光標(biāo)抽頭的開關(guān)電容器電路的電容器可切換地耦合到信號輸入部，并且在第三時(shí)間段內(nèi)將后光標(biāo)抽頭的開關(guān)電容器電路的電容器可切換地耦合到信號輸入部。時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)開關(guān)電路用于在第四時(shí)間段內(nèi)將

芯片開封的定義芯片開封，即Decap，是一種對完整封裝的集成電路（IC）芯片進(jìn)行局部處理的工藝。其目的是去除芯片的封裝外殼，暴露出芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)，同時(shí)確保芯片功能不受損。芯片開封是芯片故障分析實(shí)驗(yàn)的重要準(zhǔn)備環(huán)節(jié)，能夠保護(hù)芯片的Die、bond pads、bond wires及l(fā)ead等關(guān)鍵部分，為后續(xù)的失效分析測試提供便利，便于進(jìn)行熱點(diǎn)定位、聚焦離子束（FIB）等測試操作。芯片開封的方法1.激光開封激光開封是利用激光束的能量作用于芯片塑封表面，通過氣化作用去除器件填充料。這種方法具有顯著優(yōu)勢，操作速度快，過程簡便，且相對安全，無危險(xiǎn)性。激光開封能夠精準(zhǔn)地去除封裝材料，而不會(huì)對芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)造成不必要的損傷，因此在芯片開封領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。。2.化學(xué)腐蝕化學(xué)腐蝕則依賴于特定的化學(xué)試劑，如濃硫酸、

來源：界面新聞截至2026年1月21日 11:11，上證科創(chuàng)板芯片設(shè)計(jì)主題指數(shù)(950162)強(qiáng)勢上漲5.48%，科創(chuàng)芯片設(shè)計(jì)ETF易方達(dá)(589030)一度漲超6%，現(xiàn)漲5.46%，盤中換手32.78%，成交9733.35萬元，市場交投活躍。消息面上，國務(wù)院新聞辦公室舉行新聞發(fā)布會(huì)，請工業(yè)和信息化部相關(guān)負(fù)責(zé)人介紹2025年工業(yè)和信息化發(fā)展成效以及下一步部署。他表示，下一步，我們將抓好技術(shù)創(chuàng)新，加快突破訓(xùn)練芯片、異構(gòu)算力等關(guān)鍵技術(shù)。抓好融合應(yīng)用，聚焦軟件編程、新材料研發(fā)、醫(yī)藥研發(fā)、信息通信等行業(yè)領(lǐng)域，體系化推動(dòng)大小模型、智能體實(shí)現(xiàn)突破。AI算力需求持續(xù)爆發(fā)，推動(dòng)先進(jìn)制程技術(shù)加速迭代。財(cái)通證券指出，臺(tái)積電2025年第四季度營收創(chuàng)歷史新高，先進(jìn)制程（7nm及以下）營收占比提升至77%，其中3nm

在電源設(shè)計(jì)領(lǐng)域，寬輸入電壓、高效率的升壓解決方案一直是工程師關(guān)注的重點(diǎn)。今天以 H6801 這款電流模式 BOOST 異步升壓控制芯片為例，簡單談?wù)勂湓O(shè)計(jì)特點(diǎn)與應(yīng)用思路。一、適應(yīng)寬電壓輸入范圍H6801 支持 2.7V 至 25V 的輸入電壓，啟動(dòng)電壓可低至 2.5V。這樣的寬范圍輸入特性，使其能夠兼容多種電源環(huán)境，例如單節(jié)鋰電、多節(jié)串聯(lián)電池或適配器供電場景。芯片內(nèi)部集成了 40V LDO，進(jìn)一步增強(qiáng)了供電穩(wěn)定性。二、多模式自動(dòng)切換與效率表現(xiàn)該芯片可根據(jù)負(fù)載情況，在 PWM、PFM 及 BURST 模式之間自動(dòng)切換。輕載時(shí)采用 PFM 或 BURST 模式有助于降低損耗，重載時(shí)則以 PWM 模式維持穩(wěn)定輸出。這種動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)機(jī)制有助于在全負(fù)載范圍內(nèi)保持較高的轉(zhuǎn)換效率，典型效率可大于95%。在輸出