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國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，深圳市三華電源科技有限公司取得一項名為“寬范圍過流保護電路及開關電源”的專利，授權(quán)公告號CN223771776U，申請日期為2024年12月。專利摘要顯示，本申請公開了一種寬范圍過流保護電路及開關電源，涉及開關電源過流保護領域，所述電路包括：采樣模塊、比較模塊和驅(qū)動模塊，比較模塊與采樣模塊和驅(qū)動模塊相連，驅(qū)動模塊與開關電源的控制芯片相連，采樣模塊與次級電路相連，采樣模塊采樣次級電路的電流信號并將其轉(zhuǎn)換為第一電壓信號，發(fā)送至比較模塊，比較模塊接收第一電壓信號并在其大于預設閾值時，發(fā)送過流信號至驅(qū)動模塊，驅(qū)動模塊在接收到過流信號時，導通控制芯片的軟啟動引腳與地之間電路的連接。與傳統(tǒng)開關電源通過初級電路的電源控制芯片檢測功率開關管的輸出進行過流保護相比，本申請應用于開關電源

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，廣州金升陽科技有限公司申請一項名為“一種控制方法、控制裝置及開關電源”的專利，公開號CN121417646A，申請日期為2025年10月。專利摘要顯示，本發(fā)明公開了一種控制方法、控制裝置及開關電源，控制方法應用于電流饋電方式的升降壓級聯(lián)電路，升降壓級聯(lián)電路包括前級升降壓電路和后級隔離開關電源電路；前級升降壓電路包括主開關管、同步開關管和電感，采用降壓電路的連接方式；后級隔離開關電源電路包括原邊開關電路、變壓器和副邊開關電路；原邊開關電路為推挽或者全橋電路，至少包括交替導通的第一和第二原邊開關管，且第一和第二原邊開關管存在第一共同導通時間；副邊開關電路為全橋整流電路，包括第一和第二橋臂低電位端開關管；控制方法包括：在第一共同導通時間結(jié)束后，第一和第二橋臂低電位端開關管存

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，西安芯動微電子科技有限公司申請一項名為“一種電源外殼結(jié)構(gòu)及其開關電源”的專利，公開號CN121442643A，申請日期為2025年11月。專利摘要顯示，本發(fā)明涉及開關電源設備領域，尤其涉及一種電源外殼結(jié)構(gòu)及其開關電源，包括殼體，所述殼體內(nèi)中部兩側(cè)均安裝有側(cè)板，所述側(cè)板相靠近的一側(cè)均設置有盤環(huán)管，所述盤環(huán)管中部兩側(cè)均安裝有固定架一，所述盤環(huán)管均通過固定架一安裝在側(cè)板相靠近的一側(cè)，所述盤環(huán)管內(nèi)部均設置有熱敏氣體，所述側(cè)板之間后側(cè)固定連接有安裝板，所述安裝板中部轉(zhuǎn)動連接有轉(zhuǎn)環(huán)，所述轉(zhuǎn)環(huán)內(nèi)側(cè)中部安裝有風扇殼，所述風扇殼內(nèi)部安裝有電動風扇，本發(fā)明通過開關電源組件兩側(cè)側(cè)板上的盤環(huán)管能夠?qū)崿F(xiàn)對殼體內(nèi)開關電源組件熱量的監(jiān)測與吸收，使得電動風扇能夠同步偏轉(zhuǎn)，使得電動風扇內(nèi)部的電動風扇能

ES5915-654852長按1.5秒開關機芯片一． 功能說明供電范圍：DC2.0-5.0V。輕觸按鍵輸入兩路信號同步輸出：OUTH高有效、OUTL低有效。上電OUTL為高電平、OUTH為低電平，長按KEY鍵 1.5秒，OUTH輸出高電平，OUTL輸出低電平，再次長按KEY鍵 1.5秒關機，OUTH翻轉(zhuǎn)為低電平，OUTL翻轉(zhuǎn)為高電平。二． 電氣參數(shù)（VDD=5.0V TA=25℃）工作電壓：2.0V-5.0V工作電流：1uA靜態(tài)電流：1uA驅(qū)動電流低電平輸出：15mA驅(qū)動電流高電平輸出：10mA工作溫度：-10攝氏度-+60攝氏度儲存溫度：-25攝氏度-+125攝氏度三． 電路圖參考電源開關芯片*C2電容可根據(jù)電源實際需要調(diào)整或省略四． 封裝尺寸圖（SOT23-6）

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，浙江萬勝智能科技股份有限公司申請一項名為“基于智能電能表線性電源的負荷開關驅(qū)動系統(tǒng)及方法”的專利，公開號CN121333071A，申請日期為2025年8月。專利摘要顯示，本發(fā)明涉及智能電能表電源技術領域，具體涉及基于智能電能表線性電源的負荷開關驅(qū)動系統(tǒng)及方法，線性電源模塊將交流電壓隔離降壓、整流濾波，輸出第一直流電壓，此電壓經(jīng)DC?DC降壓模塊得到第二直流電壓，第二直流電壓給MCU微控制器供電外還給法拉電容儲能模塊恒壓充電，能在短時間內(nèi)完成儲能模塊充電，當電能表MCU微控制器接收到“合閘/分閘”指令時，控制模塊發(fā)出升壓使能信號，DC?DC升壓模塊啟動，將法拉電容端電壓泵升至第三直流電壓，驅(qū)動模塊輸出大電流脈沖驅(qū)動大功率負荷開關可靠動作，動作完成，DC?DC升壓模塊關閉

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，廈門廈華科技有限公司取得一項名為“自動開關假負載電路”的專利，授權(quán)公告號CN223816095U，申請日期為2024年11月。專利摘要顯示，本實用新型公開了一種自動開關假負載電路，其包括電壓采樣單元、電子開關單元和假負載單元；電壓采樣單元的輸入端和電子開關單元的輸入端連接該自動開關假負載電路的接入端，該自動開關假負載電路的接入端用于連接開關電源的輸出端；電壓采樣單元的輸出端連接電子開關單元的控制端，電子開關單元的輸出端連接假負載單元的輸入端，假負載單元的輸出端接地。本實用新型能有效抑制開關電源的輸出電壓飄高，同時能減少開關電源的功耗。天眼查資料顯示，廈門廈華科技有限公司，成立于2014年，位于廈門市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備制造業(yè)為主的企業(yè)。企業(yè)注冊資本

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，江蘇信保展機電科技有限公司取得一項名為“一種高壓開關三工位操作機構(gòu)的間歇動作傳動結(jié)構(gòu)”的專利，授權(quán)公告號CN223612299U，申請日期為2025年2月。專利摘要顯示，本實用新型公開了一種高壓開關三工位操作機構(gòu)的間歇動作傳動結(jié)構(gòu)，包括機殼，機殼上設置有動力傳遞部與動力接收部，動力傳遞部包括撥盤，撥盤上設置有鎖止弧，撥盤的兩側(cè)均設置有輥軸；動力接收部包括槽輪板，槽輪板上固定連接有主動齒輪，槽輪板的側(cè)壁上開設有兩個溝槽，槽輪板的側(cè)壁上開設有三個鎖止槽，兩個溝槽的開口分布在三個鎖止槽之間，撥盤上設置有鎖止弧。本實用新型通過撥盤上的輥軸與槽輪板上的溝槽設計，使得撥盤在旋轉(zhuǎn)過程中能夠間歇性地驅(qū)動槽輪板及其上的主動齒輪轉(zhuǎn)動。這種間歇傳動方式實現(xiàn)了對隔離開關、接地開關分合閘動作的

1月8日消息，據(jù)上交所數(shù)據(jù)顯示，截至 10:02，上證指數(shù)上漲 0.04%，科創(chuàng)芯片指數(shù)上漲 2.93%，個股方面，海光信息漲超 13%，芯原股份漲超 7%，寒武紀 - U 漲超 5%，華虹公司漲超 4%，晶晨股份、中芯國際等漲超 3%，滬硅產(chǎn)業(yè)漲超 2%，華海清科漲超 1%，中微公司跟漲。熱門 ETF 方面，科創(chuàng)芯片 ETF（588200）漲 3.01%，盤中成交額達 14.25 億元，換手率達 3.30%。天天基金網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示，該基金近 6 月漲 70.55%，近 1 年漲 78.20%。消息面上，國內(nèi)半導體技術取得重大突破，首條二維半導體工程化示范工藝線于 1 月 6 日在上海浦東川沙成功點亮，預計今年 6 月通線，標志著我國在新一代芯片材料領域邁出關鍵一步；全球存儲芯片市場進入 “超級

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，眸芯科技（上海）有限公司申請一項名為“芯片調(diào)測系統(tǒng)及方法”的專利，公開號CN121210229A，申請日期為2025年9月。專利摘要顯示，本發(fā)明公開了芯片調(diào)測系統(tǒng)及方法，涉及芯片開發(fā)技術領域。所述系統(tǒng)包括待測芯片端和外設接口發(fā)送裝置，外設接口發(fā)送裝置設置在待測芯片端外部，與待測芯片通過管腳連接線連接，用于向待測芯片發(fā)送不同類型的低速協(xié)議激勵信號；待測芯片的內(nèi)部嵌入有協(xié)議轉(zhuǎn)換裝置，其被配置為：通過待測芯片封裝的管腳，接收外設接口發(fā)送裝置發(fā)送的低速協(xié)議激勵信號，對該激勵信號進行解析、轉(zhuǎn)換后得到AMBA總線協(xié)議的激勵信號，再通過AMBA總線發(fā)送至待測芯片的目標地址模塊，以對芯片的目標模塊寄存器進行訪問。本發(fā)明改進了芯片回片階段的測試和調(diào)試手段，可以對傳統(tǒng)調(diào)測方案進行補充或替

1月7日，據(jù)上交所數(shù)據(jù)顯示，截至09:58，上證指數(shù)上漲0.14%，科創(chuàng)芯片指數(shù)上漲2.13%，個股方面，中微公司漲超6%，瀾起科技漲超4%，華海清科漲超3%，滬硅產(chǎn)業(yè)漲超2%，華虹公司漲超1%。熱門ETF方面，科創(chuàng)芯片ETF（588200）漲2.04%，盤中成交額達12.90億元，換手率達2.99%。天天基金網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示，該基金近6月漲65.69%。消息面上，全球存儲芯片供應持續(xù)緊張、價格飆升，三星電子與SK海力士計劃2026年第一季度將服務器DRAM價格較2025年第四季度提升60%至70%，PC及智能手機用DRAM同步漲價，NAND Flash合約價預計持續(xù)上漲33-38%，2025 年DDR4 16Gb漲幅高達1800%，DDR5 16Gb漲幅達500%，行業(yè)預計2027年前存儲芯片價