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上海翃視科技申請硅基液晶芯片的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)方法及芯片專利，通過輪轉(zhuǎn)方式控制列選復(fù)用電路的選擇開關(guān)導(dǎo)通順序驅(qū)動(dòng)像素矩陣對應(yīng)列

國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，上海翃視科技有限公司申請一項(xiàng)名為“硅基液晶芯片的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)方法及硅基液晶芯片”的專利，公開號(hào)CN121034243A，申請日期為2025年8月。專利摘要顯示，本發(fā)明揭示了一種硅基液晶芯片的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)方法及硅基液晶芯片，所述硅基液晶芯片包括一像素矩陣，所述像素矩陣具多行多列像素組成，所述硅基液晶芯片的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)方法通過行信號(hào)以行為單位對像素矩陣進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，并且所述硅基液晶芯片包括一列選復(fù)用電路，所述列選復(fù)用電路包括多個(gè)選擇開關(guān)，每一選擇開關(guān)與所述像素矩陣的每一列對應(yīng)，通過控制上述列選復(fù)用電路的多個(gè)選擇開關(guān)的導(dǎo)通順序而驅(qū)動(dòng)所述像素矩陣對應(yīng)的列，其中所述列選復(fù)用電路采用輪轉(zhuǎn)方式控制所述多個(gè)選擇開關(guān)的導(dǎo)通順序。天眼查資料顯示，上海翃視科技有限公司，成立于2023年，位于上海市，是一家

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經(jīng)典一鍵開關(guān)機(jī)電路SOP-8單按鍵長按1秒延時(shí)芯片國產(chǎn)復(fù)位芯片方案

EH2916-B8E6 AR開關(guān)芯片一. 功能說明供電方式：DC2.4-5.0V輸入。兩路輸入控制一路輸出。上電OUT為低電平，KEY鍵：長按1秒開機(jī)，OUT輸出0.5S高電平，同時(shí)7腳KILL開始進(jìn)入檢測狀態(tài)，如果在OUT輸出的0.5S時(shí)間內(nèi)有高電平輸入到7腳KILL，則OUT繼續(xù)保持高電平輸出。如在0.5S內(nèi)無高電平輸入到7腳KILL，則OUT反轉(zhuǎn)為低電平進(jìn)入關(guān)機(jī)狀態(tài)。OUT輸出高電平過程中，長按KEY鍵10秒或7腳KILL高電平消失則進(jìn)入關(guān)機(jī)。二．極限參數(shù)Absolute Maximum Ratings Voltage applied at VDD to VSS ....................- 0.3V to 6.0V Voltage applied at any pin

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威勝信息申請基于感算通位SOC芯片的智能開關(guān)專利，解決了現(xiàn)有智能開關(guān)散熱性差及通信延時(shí)大可靠性低的問題

ES5915-654852長按1.5秒開關(guān)機(jī)芯片一．功能說明供電范圍：DC2.0-5.0V。輕觸按鍵輸入兩路信號(hào)同步輸出：OUTH高有效、OUTL低有效。上電OUTL為高電平、OUTH為低電平，長按KEY鍵 1.5秒，OUTH輸出高電平，OUTL輸出低電平，再次長按KEY鍵 1.5秒關(guān)機(jī)，OUTH翻轉(zhuǎn)為低電平，OUTL翻轉(zhuǎn)為高電平。二．電氣參數(shù)（VDD=5.0V TA=25℃）工作電壓：2.0V-5.0V工作電流：1uA靜態(tài)電流：1uA驅(qū)動(dòng)電流低電平輸出：15mA驅(qū)動(dòng)電流高電平輸出：10mA工作溫度：-10攝氏度-+60攝氏度儲(chǔ)存溫度：-25攝氏度-+125攝氏度三．電路圖參考電源開關(guān)芯片*C2電容可根據(jù)電源實(shí)際需要調(diào)整或省略四．封裝尺寸圖（SOT23-6）

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江蘇信保展機(jī)電科技取得高壓開關(guān)三工位操作機(jī)構(gòu)間歇?jiǎng)幼鱾鲃?dòng)結(jié)構(gòu)專利，實(shí)現(xiàn)對隔離開關(guān)、接地開關(guān)分合閘動(dòng)作的精確控制

國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，江蘇信保展機(jī)電科技有限公司取得一項(xiàng)名為“一種高壓開關(guān)三工位操作機(jī)構(gòu)的間歇?jiǎng)幼鱾鲃?dòng)結(jié)構(gòu)”的專利，授權(quán)公告號(hào)CN223612299U，申請日期為2025年2月。專利摘要顯示，本實(shí)用新型公開了一種高壓開關(guān)三工位操作機(jī)構(gòu)的間歇?jiǎng)幼鱾鲃?dòng)結(jié)構(gòu)，包括機(jī)殼，機(jī)殼上設(shè)置有動(dòng)力傳遞部與動(dòng)力接收部，動(dòng)力傳遞部包括撥盤，撥盤上設(shè)置有鎖止弧，撥盤的兩側(cè)均設(shè)置有輥軸；動(dòng)力接收部包括槽輪板，槽輪板上固定連接有主動(dòng)齒輪，槽輪板的側(cè)壁上開設(shè)有兩個(gè)溝槽，槽輪板的側(cè)壁上開設(shè)有三個(gè)鎖止槽，兩個(gè)溝槽的開口分布在三個(gè)鎖止槽之間，撥盤上設(shè)置有鎖止弧。本實(shí)用新型通過撥盤上的輥軸與槽輪板上的溝槽設(shè)計(jì)，使得撥盤在旋轉(zhuǎn)過程中能夠間歇性地驅(qū)動(dòng)槽輪板及其上的主動(dòng)齒輪轉(zhuǎn)動(dòng)。這種間歇傳動(dòng)方式實(shí)現(xiàn)了對隔離開關(guān)、接地開關(guān)分合閘動(dòng)作的

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H6253K寬電壓降壓恒壓芯片120V降5V 150V降5V 48V降5V DC-DC電源管理芯片原廠直供性價(jià)比高

目前市場上的100V以上的高壓DCDC電源芯片雖然種類繁多，但是電流普遍偏小，難以滿足一些大功率應(yīng)用的需求。針對這一市場痛點(diǎn)，我司特研發(fā)出了一款150V 2.5A的降壓恒壓芯片，該芯片不僅具有高電壓輸入能力，還具備大電流輸出的特點(diǎn)，能夠廣泛應(yīng)用于各種需要高功率、高效率、低功耗的電源轉(zhuǎn)換的場景。尤其在應(yīng)對潛在的熱拔插應(yīng)用場景方面有出色的表現(xiàn)?！?支持高耐壓150V◆ 高恒壓精度高◆ 2.5A持續(xù)大電流，低功耗◆ 高工作轉(zhuǎn)換效率，可達(dá)95%◆ 輸出電壓可調(diào)≥3.3V◆ 動(dòng)態(tài)響應(yīng)優(yōu)異，線性和負(fù)載調(diào)整良好◆ 集成軟啟動(dòng)、過流保護(hù)OCP、過熱保護(hù)OTP、短路保護(hù)SCP◆ 針對頻繁熱拔插使用場景有出色的表現(xiàn)

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國產(chǎn)芯片技術(shù)突破 + 存儲(chǔ)市場超級牛市，半導(dǎo)體板塊全線爆發(fā)，科創(chuàng)芯片 ETF（588200）表現(xiàn)強(qiáng)勢

1月8日消息，據(jù)上交所數(shù)據(jù)顯示，截至 10:02，上證指數(shù)上漲 0.04%，科創(chuàng)芯片指數(shù)上漲 2.93%，個(gè)股方面，海光信息漲超 13%，芯原股份漲超 7%，寒武紀(jì) - U 漲超 5%，華虹公司漲超 4%，晶晨股份、中芯國際等漲超 3%，滬硅產(chǎn)業(yè)漲超 2%，華海清科漲超 1%，中微公司跟漲。熱門 ETF 方面，科創(chuàng)芯片 ETF（588200）漲 3.01%，盤中成交額達(dá) 14.25 億元，換手率達(dá) 3.30%。天天基金網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示，該基金近 6 月漲 70.55%，近 1 年漲 78.20%。消息面上，國內(nèi)半導(dǎo)體技術(shù)取得重大突破，首條二維半導(dǎo)體工程化示范工藝線于 1 月 6 日在上海浦東川沙成功點(diǎn)亮，預(yù)計(jì)今年 6 月通線，標(biāo)志著我國在新一代芯片材料領(lǐng)域邁出關(guān)鍵一步；全球存儲(chǔ)芯片市場進(jìn)入 “超級

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安測半導(dǎo)體申請電源芯片測試方法及裝置專利，提高了電源芯片測試的效率和準(zhǔn)確性

國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，安測半導(dǎo)體技術(shù)（義烏）有限公司申請一項(xiàng)名為“一種電源芯片測試方法及裝置”的專利，公開號(hào)CN121324898A，申請日期為2025年11月。專利摘要顯示，本發(fā)明屬于芯片測試（晶圓測試）領(lǐng)域，為了解決在電源芯片的測試過程中，通常需要人工連線，由于連線較多，導(dǎo)致作業(yè)效率較低，而且經(jīng)常出現(xiàn)連線錯(cuò)誤的問題，本發(fā)明提供了一種電源芯片測試方法及裝置，該裝置包括：連接單元，所述連接單元包括多個(gè)測試針，所述測試針與待測晶圓連接；探針單元，所述探針單元包括多個(gè)探針，通過探針與連接單元連接；測試電路單元，所述測試電路單元與探針單元的探針連接，用于發(fā)出測試信號(hào)；處理單元，用于根據(jù)所述測試電路單元發(fā)出的信號(hào)，對待測晶圓進(jìn)行電壓測試。本發(fā)明中連接單元直接通過探針單元與測試電路單元連接，不再需要

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眸芯科技申請芯片調(diào)測系統(tǒng)及方法專利，改進(jìn)了芯片回片階段的測試和調(diào)試手段

國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，眸芯科技（上海）有限公司申請一項(xiàng)名為“芯片調(diào)測系統(tǒng)及方法”的專利，公開號(hào)CN121210229A，申請日期為2025年9月。專利摘要顯示，本發(fā)明公開了芯片調(diào)測系統(tǒng)及方法，涉及芯片開發(fā)技術(shù)領(lǐng)域。所述系統(tǒng)包括待測芯片端和外設(shè)接口發(fā)送裝置，外設(shè)接口發(fā)送裝置設(shè)置在待測芯片端外部，與待測芯片通過管腳連接線連接，用于向待測芯片發(fā)送不同類型的低速協(xié)議激勵(lì)信號(hào)；待測芯片的內(nèi)部嵌入有協(xié)議轉(zhuǎn)換裝置，其被配置為：通過待測芯片封裝的管腳，接收外設(shè)接口發(fā)送裝置發(fā)送的低速協(xié)議激勵(lì)信號(hào)，對該激勵(lì)信號(hào)進(jìn)行解析、轉(zhuǎn)換后得到AMBA總線協(xié)議的激勵(lì)信號(hào)，再通過AMBA總線發(fā)送至待測芯片的目標(biāo)地址模塊，以對芯片的目標(biāo)模塊寄存器進(jìn)行訪問。本發(fā)明改進(jìn)了芯片回片階段的測試和調(diào)試手段，可以對傳統(tǒng)調(diào)測方案進(jìn)行補(bǔ)充或替

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全球存儲(chǔ)芯片供應(yīng)持續(xù)緊張！科創(chuàng)芯片ETF（588200）漲超2%！

1月7日，據(jù)上交所數(shù)據(jù)顯示，截至09:58，上證指數(shù)上漲0.14%，科創(chuàng)芯片指數(shù)上漲2.13%，個(gè)股方面，中微公司漲超6%，瀾起科技漲超4%，華海清科漲超3%，滬硅產(chǎn)業(yè)漲超2%，華虹公司漲超1%。熱門ETF方面，科創(chuàng)芯片ETF（588200）漲2.04%，盤中成交額達(dá)12.90億元，換手率達(dá)2.99%。天天基金網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示，該基金近6月漲65.69%。消息面上，全球存儲(chǔ)芯片供應(yīng)持續(xù)緊張、價(jià)格飆升，三星電子與SK海力士計(jì)劃2026年第一季度將服務(wù)器DRAM價(jià)格較2025年第四季度提升60%至70%，PC及智能手機(jī)用DRAM同步漲價(jià)，NAND Flash合約價(jià)預(yù)計(jì)持續(xù)上漲33-38%，2025 年DDR4 16Gb漲幅高達(dá)1800%，DDR5 16Gb漲幅達(dá)500%，行業(yè)預(yù)計(jì)2027年前存儲(chǔ)芯片價(jià)

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旗捷科技申請耗材芯片升級方法專利，能夠?qū)崿F(xiàn)對不同類型的耗材芯片的升級

國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，杭州旗捷科技股份有限公司申請一項(xiàng)名為“一種耗材芯片的升級方法和升級電路”的專利，公開號(hào)CN121340789A，申請日期為2025年10月。專利摘要顯示，本發(fā)明實(shí)施例公開了一種耗材芯片的升級方法和升級電路。耗材芯片的升級電路包括：信號(hào)選擇模塊、信號(hào)處理模塊、耗材接口模塊和控制器；信號(hào)選擇模塊與電源以及控制器電連接，信號(hào)處理模塊、耗材接口模塊與控制器電連接，信號(hào)選擇模塊和信號(hào)處理模塊均與耗材接口模塊電連接；方法由控制器執(zhí)行，方法包括：控制信號(hào)選擇模塊的工作狀態(tài)；當(dāng)耗材接口模塊與耗材芯片接觸時(shí)，向耗材接口模塊傳輸電平信號(hào)，接收耗材接口模塊傳輸?shù)牡谝恍盘?hào)以及信號(hào)選擇模塊傳輸?shù)牡诙盘?hào)；根據(jù)第一信號(hào)和第二信號(hào)，確定耗材芯片的狀態(tài)和類型；根據(jù)耗材芯片的狀態(tài)和類型，控制信號(hào)選擇模

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