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國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，安測半導(dǎo)體技術(shù)（義烏）有限公司申請一項名為“一種電源芯片測試方法及裝置”的專利，公開號CN121324898A，申請日期為2025年11月。專利摘要顯示，本發(fā)明屬于芯片測試（晶圓測試）領(lǐng)域，為了解決在電源芯片的測試過程中，通常需要人工連線，由于連線較多，導(dǎo)致作業(yè)效率較低，而且經(jīng)常出現(xiàn)連線錯誤的問題，本發(fā)明提供了一種電源芯片測試方法及裝置，該裝置包括：連接單元，所述連接單元包括多個測試針，所述測試針與待測晶圓連接；探針單元，所述探針單元包括多個探針，通過探針與連接單元連接；測試電路單元，所述測試電路單元與探針單元的探針連接，用于發(fā)出測試信號；處理單元，用于根據(jù)所述測試電路單元發(fā)出的信號，對待測晶圓進行電壓測試。本發(fā)明中連接單元直接通過探針單元與測試電路單元連接，不再需要

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，眸芯科技（上海）有限公司申請一項名為“芯片調(diào)測系統(tǒng)及方法”的專利，公開號CN121210229A，申請日期為2025年9月。專利摘要顯示，本發(fā)明公開了芯片調(diào)測系統(tǒng)及方法，涉及芯片開發(fā)技術(shù)領(lǐng)域。所述系統(tǒng)包括待測芯片端和外設(shè)接口發(fā)送裝置，外設(shè)接口發(fā)送裝置設(shè)置在待測芯片端外部，與待測芯片通過管腳連接線連接，用于向待測芯片發(fā)送不同類型的低速協(xié)議激勵信號；待測芯片的內(nèi)部嵌入有協(xié)議轉(zhuǎn)換裝置，其被配置為：通過待測芯片封裝的管腳，接收外設(shè)接口發(fā)送裝置發(fā)送的低速協(xié)議激勵信號，對該激勵信號進行解析、轉(zhuǎn)換后得到AMBA總線協(xié)議的激勵信號，再通過AMBA總線發(fā)送至待測芯片的目標(biāo)地址模塊，以對芯片的目標(biāo)模塊寄存器進行訪問。本發(fā)明改進了芯片回片階段的測試和調(diào)試手段，可以對傳統(tǒng)調(diào)測方案進行補充或替

1月7日，據(jù)上交所數(shù)據(jù)顯示，截至09:58，上證指數(shù)上漲0.14%，科創(chuàng)芯片指數(shù)上漲2.13%，個股方面，中微公司漲超6%，瀾起科技漲超4%，華海清科漲超3%，滬硅產(chǎn)業(yè)漲超2%，華虹公司漲超1%。熱門ETF方面，科創(chuàng)芯片ETF（588200）漲2.04%，盤中成交額達(dá)12.90億元，換手率達(dá)2.99%。天天基金網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示，該基金近6月漲65.69%。消息面上，全球存儲芯片供應(yīng)持續(xù)緊張、價格飆升，三星電子與SK海力士計劃2026年第一季度將服務(wù)器DRAM價格較2025年第四季度提升60%至70%，PC及智能手機用DRAM同步漲價，NAND Flash合約價預(yù)計持續(xù)上漲33-38%，2025 年DDR4 16Gb漲幅高達(dá)1800%，DDR5 16Gb漲幅達(dá)500%，行業(yè)預(yù)計2027年前存儲芯片價

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，杭州旗捷科技股份有限公司申請一項名為“一種耗材芯片的升級方法和升級電路”的專利，公開號CN121340789A，申請日期為2025年10月。專利摘要顯示，本發(fā)明實施例公開了一種耗材芯片的升級方法和升級電路。耗材芯片的升級電路包括：信號選擇模塊、信號處理模塊、耗材接口模塊和控制器；信號選擇模塊與電源以及控制器電連接，信號處理模塊、耗材接口模塊與控制器電連接，信號選擇模塊和信號處理模塊均與耗材接口模塊電連接；方法由控制器執(zhí)行，方法包括：控制信號選擇模塊的工作狀態(tài)；當(dāng)耗材接口模塊與耗材芯片接觸時，向耗材接口模塊傳輸電平信號，接收耗材接口模塊傳輸?shù)牡谝恍盘栆约靶盘栠x擇模塊傳輸?shù)牡诙盘?；根?jù)第一信號和第二信號，確定耗材芯片的狀態(tài)和類型；根據(jù)耗材芯片的狀態(tài)和類型，控制信號選擇模

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，南京合智電力科技有限公司申請一項名為“一二次融合智能高壓開關(guān)及其智能控制模塊更換方法”的專利，公開號CN121395717A，申請日期為2025年12月。專利摘要顯示，本發(fā)明提供了一種一二次融合智能高壓開關(guān)及其智能控制模塊更換方法，包括：在判定一二次融合智能高壓開關(guān)中綜合控制分析單元未更換的情況下，當(dāng)綜合控制分析單元判定原待更換智能控制模塊已被更換為新的智能控制模塊時，綜合控制分析單元根據(jù)原待更換智能控制模塊的身份碼，在本地存儲區(qū)中匹配并獲取對應(yīng)的定值參數(shù)和運行數(shù)據(jù)；綜合控制分析單元將定值參數(shù)和運行數(shù)據(jù)發(fā)送至新的智能控制模塊，并獲取新的智能控制模塊反饋的定值參數(shù)和運行數(shù)據(jù)；當(dāng)發(fā)送的定值參數(shù)、運行數(shù)據(jù)與反饋的定值參數(shù)、運行數(shù)據(jù)一致時，綜合控制分析單元將預(yù)存的間隔識別碼發(fā)

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，深圳市穩(wěn)先微電子有限公司取得一項名為“智能電子開關(guān)、集成電路芯片、芯片產(chǎn)品和汽車”的專利，授權(quán)公告號CN118449503B，申請日期為2024年5月。天眼查資料顯示，深圳市穩(wěn)先微電子有限公司，成立于2000年，位于深圳市，是一家以從事軟件和信息技術(shù)服務(wù)業(yè)為主的企業(yè)。企業(yè)注冊資本2848.2982萬人民幣。通過天眼查大數(shù)據(jù)分析，深圳市穩(wěn)先微電子有限公司共對外投資了5家企業(yè)，參與招投標(biāo)項目4次，財產(chǎn)線索方面有商標(biāo)信息21條，專利信息111條，此外企業(yè)還擁有行政許可18個。聲明：市場有風(fēng)險，投資需謹(jǐn)慎。本文為AI基于第三方數(shù)據(jù)生成，僅供參考，不構(gòu)成個人投資建議。

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，珠海格力電器股份有限公司申請一項名為“一種開關(guān)管的保護電路和芯片”的專利，公開號CN121261684A，申請日期為2025年8月。專利摘要顯示，本發(fā)明實施例提供了一種開關(guān)管的保護電路和芯片，包括第一開關(guān)管、開通電路和控制電路；第一開關(guān)管的輸入端與功率模塊連接，用于接收功率模塊輸出的供電電壓；開通電路的一端與驅(qū)動芯片連接，另一端與第一開關(guān)管的控制端連接，用于接收驅(qū)動芯片輸出的驅(qū)動電壓，并向第一開關(guān)管的控制端輸出驅(qū)動電壓；開通電路包括電阻調(diào)節(jié)模塊；控制電路分別與電阻調(diào)節(jié)模塊和第一開關(guān)管的控制端連接，用于調(diào)整電阻調(diào)節(jié)模塊的阻值。本發(fā)明實施例通過控制電路，根據(jù)第一開關(guān)管的控制端與輸出端之間的電壓來調(diào)整電阻調(diào)節(jié)模塊的阻值，由于電阻的阻尼作用，從而抑制了第一開關(guān)管的控制端基于供

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，珠海量引科技有限公司申請一項名為“光開關(guān)和硅光芯片”的專利，公開號CN121299841A，申請日期為2025年12月。專利摘要顯示，本發(fā)明提供一種光開關(guān)和硅光芯片，光開關(guān)包括第一波導(dǎo)和第二波導(dǎo)，第一波導(dǎo)與第二波導(dǎo)并列設(shè)置；第二波導(dǎo)包括主體和設(shè)置在主體中的第一縫隙；第一波導(dǎo)由第一材料組成，主體由所述第一材料組成，第一縫隙填充有第二材料；第一材料的熱光系數(shù)大于第二材料的熱光系數(shù)；沿光傳播方向，光開關(guān)依次設(shè)置有輸入端口區(qū)、輸入耦合區(qū)、非耦合相位調(diào)制區(qū)、輸出耦合區(qū)和輸出端口區(qū)，輸入端口區(qū)、輸入耦合區(qū)、非耦合相位調(diào)制區(qū)、輸出耦合區(qū)和輸出端口區(qū)均設(shè)置在第一波導(dǎo)和第二波導(dǎo)上；在非耦合相位調(diào)制區(qū)的第一波導(dǎo)的寬度為450納米，在非耦合相位調(diào)制區(qū)的第二波導(dǎo)寬度為600納米。本發(fā)明在實現(xiàn)