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目前市場上的100V以上的高壓DCDC電源芯片雖然種類繁多，但是電流普遍偏小，難以滿足一些大功率應(yīng)用的需求。針對這一市場痛點，我司特研發(fā)出了一款150V 2.5A的降壓恒壓芯片，該芯片不僅具有高電壓輸入能力，還具備大電流輸出的特點，能夠廣泛應(yīng)用于各種需要高功率、高效率、低功耗的電源轉(zhuǎn)換的場景。尤其在應(yīng)對潛在的熱拔插應(yīng)用場景方面有出色的表現(xiàn)?！?支持高耐壓150V◆ 高恒壓精度高◆ 2.5A持續(xù)大電流，低功耗◆ 高工作轉(zhuǎn)換效率，可達95%◆ 輸出電壓可調(diào)≥3.3V◆ 動態(tài)響應(yīng)優(yōu)異，線性和負載調(diào)整良好◆ 集成軟啟動、過流保護OCP、過熱保護OTP、短路保護SCP◆ 針對頻繁熱拔插使用場景有出色的表現(xiàn)

1月8日消息，據(jù)上交所數(shù)據(jù)顯示，截至 10:02，上證指數(shù)上漲 0.04%，科創(chuàng)芯片指數(shù)上漲 2.93%，個股方面，海光信息漲超 13%，芯原股份漲超 7%，寒武紀(jì) - U 漲超 5%，華虹公司漲超 4%，晶晨股份、中芯國際等漲超 3%，滬硅產(chǎn)業(yè)漲超 2%，華海清科漲超 1%，中微公司跟漲。熱門 ETF 方面，科創(chuàng)芯片 ETF（588200）漲 3.01%，盤中成交額達 14.25 億元，換手率達 3.30%。天天基金網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示，該基金近 6 月漲 70.55%，近 1 年漲 78.20%。消息面上，國內(nèi)半導(dǎo)體技術(shù)取得重大突破，首條二維半導(dǎo)體工程化示范工藝線于 1 月 6 日在上海浦東川沙成功點亮，預(yù)計今年 6 月通線，標(biāo)志著我國在新一代芯片材料領(lǐng)域邁出關(guān)鍵一步；全球存儲芯片市場進入 “超級

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，安測半導(dǎo)體技術(shù)（義烏）有限公司申請一項名為“一種電源芯片測試方法及裝置”的專利，公開號CN121324898A，申請日期為2025年11月。專利摘要顯示，本發(fā)明屬于芯片測試（晶圓測試）領(lǐng)域，為了解決在電源芯片的測試過程中，通常需要人工連線，由于連線較多，導(dǎo)致作業(yè)效率較低，而且經(jīng)常出現(xiàn)連線錯誤的問題，本發(fā)明提供了一種電源芯片測試方法及裝置，該裝置包括：連接單元，所述連接單元包括多個測試針，所述測試針與待測晶圓連接；探針單元，所述探針單元包括多個探針，通過探針與連接單元連接；測試電路單元，所述測試電路單元與探針單元的探針連接，用于發(fā)出測試信號；處理單元，用于根據(jù)所述測試電路單元發(fā)出的信號，對待測晶圓進行電壓測試。本發(fā)明中連接單元直接通過探針單元與測試電路單元連接，不再需要

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，眸芯科技（上海）有限公司申請一項名為“芯片調(diào)測系統(tǒng)及方法”的專利，公開號CN121210229A，申請日期為2025年9月。專利摘要顯示，本發(fā)明公開了芯片調(diào)測系統(tǒng)及方法，涉及芯片開發(fā)技術(shù)領(lǐng)域。所述系統(tǒng)包括待測芯片端和外設(shè)接口發(fā)送裝置，外設(shè)接口發(fā)送裝置設(shè)置在待測芯片端外部，與待測芯片通過管腳連接線連接，用于向待測芯片發(fā)送不同類型的低速協(xié)議激勵信號；待測芯片的內(nèi)部嵌入有協(xié)議轉(zhuǎn)換裝置，其被配置為：通過待測芯片封裝的管腳，接收外設(shè)接口發(fā)送裝置發(fā)送的低速協(xié)議激勵信號，對該激勵信號進行解析、轉(zhuǎn)換后得到AMBA總線協(xié)議的激勵信號，再通過AMBA總線發(fā)送至待測芯片的目標(biāo)地址模塊，以對芯片的目標(biāo)模塊寄存器進行訪問。本發(fā)明改進了芯片回片階段的測試和調(diào)試手段，可以對傳統(tǒng)調(diào)測方案進行補充或替

1月7日，據(jù)上交所數(shù)據(jù)顯示，截至09:58，上證指數(shù)上漲0.14%，科創(chuàng)芯片指數(shù)上漲2.13%，個股方面，中微公司漲超6%，瀾起科技漲超4%，華海清科漲超3%，滬硅產(chǎn)業(yè)漲超2%，華虹公司漲超1%。熱門ETF方面，科創(chuàng)芯片ETF（588200）漲2.04%，盤中成交額達12.90億元，換手率達2.99%。天天基金網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示，該基金近6月漲65.69%。消息面上，全球存儲芯片供應(yīng)持續(xù)緊張、價格飆升，三星電子與SK海力士計劃2026年第一季度將服務(wù)器DRAM價格較2025年第四季度提升60%至70%，PC及智能手機用DRAM同步漲價，NAND Flash合約價預(yù)計持續(xù)上漲33-38%，2025 年DDR4 16Gb漲幅高達1800%，DDR5 16Gb漲幅達500%，行業(yè)預(yù)計2027年前存儲芯片價

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，杭州旗捷科技股份有限公司申請一項名為“一種耗材芯片的升級方法和升級電路”的專利，公開號CN121340789A，申請日期為2025年10月。專利摘要顯示，本發(fā)明實施例公開了一種耗材芯片的升級方法和升級電路。耗材芯片的升級電路包括：信號選擇模塊、信號處理模塊、耗材接口模塊和控制器；信號選擇模塊與電源以及控制器電連接，信號處理模塊、耗材接口模塊與控制器電連接，信號選擇模塊和信號處理模塊均與耗材接口模塊電連接；方法由控制器執(zhí)行，方法包括：控制信號選擇模塊的工作狀態(tài)；當(dāng)耗材接口模塊與耗材芯片接觸時，向耗材接口模塊傳輸電平信號，接收耗材接口模塊傳輸?shù)牡谝恍盘栆约靶盘栠x擇模塊傳輸?shù)牡诙盘?；根?jù)第一信號和第二信號，確定耗材芯片的狀態(tài)和類型；根據(jù)耗材芯片的狀態(tài)和類型，控制信號選擇模

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，深圳市穩(wěn)先微電子有限公司取得一項名為“智能電子開關(guān)、集成電路芯片、芯片產(chǎn)品和汽車”的專利，授權(quán)公告號CN118449503B，申請日期為2024年5月。天眼查資料顯示，深圳市穩(wěn)先微電子有限公司，成立于2000年，位于深圳市，是一家以從事軟件和信息技術(shù)服務(wù)業(yè)為主的企業(yè)。企業(yè)注冊資本2848.2982萬人民幣。通過天眼查大數(shù)據(jù)分析，深圳市穩(wěn)先微電子有限公司共對外投資了5家企業(yè)，參與招投標(biāo)項目4次，財產(chǎn)線索方面有商標(biāo)信息21條，專利信息111條，此外企業(yè)還擁有行政許可18個。聲明：市場有風(fēng)險，投資需謹慎。本文為AI基于第三方數(shù)據(jù)生成，僅供參考，不構(gòu)成個人投資建議。

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，珠海格力電器股份有限公司申請一項名為“一種開關(guān)管的保護電路和芯片”的專利，公開號CN121261684A，申請日期為2025年8月。專利摘要顯示，本發(fā)明實施例提供了一種開關(guān)管的保護電路和芯片，包括第一開關(guān)管、開通電路和控制電路；第一開關(guān)管的輸入端與功率模塊連接，用于接收功率模塊輸出的供電電壓；開通電路的一端與驅(qū)動芯片連接，另一端與第一開關(guān)管的控制端連接，用于接收驅(qū)動芯片輸出的驅(qū)動電壓，并向第一開關(guān)管的控制端輸出驅(qū)動電壓；開通電路包括電阻調(diào)節(jié)模塊；控制電路分別與電阻調(diào)節(jié)模塊和第一開關(guān)管的控制端連接，用于調(diào)整電阻調(diào)節(jié)模塊的阻值。本發(fā)明實施例通過控制電路，根據(jù)第一開關(guān)管的控制端與輸出端之間的電壓來調(diào)整電阻調(diào)節(jié)模塊的阻值，由于電阻的阻尼作用，從而抑制了第一開關(guān)管的控制端基于供

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，珠海量引科技有限公司申請一項名為“光開關(guān)和硅光芯片”的專利，公開號CN121299841A，申請日期為2025年12月。專利摘要顯示，本發(fā)明提供一種光開關(guān)和硅光芯片，光開關(guān)包括第一波導(dǎo)和第二波導(dǎo)，第一波導(dǎo)與第二波導(dǎo)并列設(shè)置；第二波導(dǎo)包括主體和設(shè)置在主體中的第一縫隙；第一波導(dǎo)由第一材料組成，主體由所述第一材料組成，第一縫隙填充有第二材料；第一材料的熱光系數(shù)大于第二材料的熱光系數(shù)；沿光傳播方向，光開關(guān)依次設(shè)置有輸入端口區(qū)、輸入耦合區(qū)、非耦合相位調(diào)制區(qū)、輸出耦合區(qū)和輸出端口區(qū)，輸入端口區(qū)、輸入耦合區(qū)、非耦合相位調(diào)制區(qū)、輸出耦合區(qū)和輸出端口區(qū)均設(shè)置在第一波導(dǎo)和第二波導(dǎo)上；在非耦合相位調(diào)制區(qū)的第一波導(dǎo)的寬度為450納米，在非耦合相位調(diào)制區(qū)的第二波導(dǎo)寬度為600納米。本發(fā)明在實現(xiàn)

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，佛山市伊戈爾電子有限公司;吉安伊戈爾電氣有限公司申請一項名為“一種快速啟動開關(guān)電源”的專利，公開號CN121308528A，申請日期為2025年12月。專利摘要顯示，本發(fā)明涉及開關(guān)電源技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種快速啟動開關(guān)電源，變壓器T1的一次側(cè)設(shè)有輔助繞組，輔助繞組設(shè)有第一分接頭和第二分接頭，第一分接頭的輸出電壓比第二分接頭的輸出電壓大；線性穩(wěn)壓模塊的第一端電連接于第一分接頭，供電切換模塊的輸入端電連接于第二分接頭；快速啟動整流橋電路的MOS管Q2的源極、控制芯片U1的電源端和供電切換模塊的輸出端均與線性穩(wěn)壓模塊的第二端電連接；當(dāng)?shù)诙纸宇^的輸出電壓大于線性穩(wěn)壓模塊的穩(wěn)壓值時，線性穩(wěn)壓模塊斷開及供電切換模塊導(dǎo)通，否則兩者狀態(tài)相反，且當(dāng)兩者任一導(dǎo)通時，MOS管Q2斷開；解決