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EH3810長(zhǎng)按開(kāi)關(guān)機(jī)芯片超低功耗延時(shí)1秒自鎖電子開(kāi)關(guān)芯片

EH3810-518E-2911長(zhǎng)按1秒開(kāi)關(guān)機(jī)芯片技術(shù)解析一、核心功能與工作原理EH3810-518E-2911是一款專為便攜式電子設(shè)備設(shè)計(jì)的智能開(kāi)關(guān)控制芯片，采用SOT23-6超緊湊封裝，在僅2.0×1.6mm的占板面積內(nèi)實(shí)現(xiàn)了完整的電源管理功能。該芯片通過(guò)獨(dú)創(chuàng)的時(shí)序控制邏輯，實(shí)現(xiàn)了精確到毫秒級(jí)的按鍵檢測(cè)：當(dāng)檢測(cè)到持續(xù)1秒±50ms的有效按鍵信號(hào)時(shí)，內(nèi)部狀態(tài)機(jī)將執(zhí)行電平翻轉(zhuǎn)操作。上電初始狀態(tài)下，OUTH引腳保持低電平（0.4V max @ 14mA），OUTL引腳維持高電平（VDD-0.3V min @ 6mA），這種默認(rèn)狀態(tài)特別適合需要安全啟動(dòng)的電子設(shè)備。二、電氣特性深度分析在3.0V工作電壓、25℃環(huán)境溫度下的實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)顯示： - 動(dòng)態(tài)工作電流穩(wěn)定在5μA±0.5μA，配合其2.2-5V

查看 >>2026-02-03

EY410延時(shí)復(fù)位芯片國(guó)產(chǎn)低功耗復(fù)位開(kāi)關(guān)IC電路一鍵開(kāi)關(guān)機(jī)芯片

在現(xiàn)代電子設(shè)備設(shè)計(jì)中，復(fù)位電路作為系統(tǒng)可靠性的關(guān)鍵保障，EY410-46CDEC短按輸出1.6秒脈沖復(fù)位芯片以其精準(zhǔn)的時(shí)序控制和超低功耗特性，成為消費(fèi)電子、智能家居及便攜式設(shè)備的理想選擇。這款采用SOT23-6封裝的微型芯片，通過(guò)輕觸開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)了雙路輸出的智能復(fù)位功能，其技術(shù)細(xì)節(jié)和應(yīng)用價(jià)值值得深入探討。一、核心功能與工作邏輯EY410-46CDEC的設(shè)計(jì)遵循嚴(yán)格的時(shí)序控制邏輯。上電初始化時(shí)，Out1默認(rèn)輸出低電平（0V），Out2保持高電平（VDD），這種狀態(tài)為后續(xù)復(fù)位操作提供明確的基準(zhǔn)點(diǎn)。當(dāng)用戶短按Key觸發(fā)開(kāi)關(guān)時(shí)，芯片內(nèi)部計(jì)時(shí)器立即啟動(dòng)1.6秒的精確延時(shí)：Out1從低電平跳變?yōu)楦唠娖矫}沖Out2同步輸出反相的低電平脈沖脈沖結(jié)束后自動(dòng)恢復(fù)初始狀態(tài)值得注意的是，芯片具備"觸發(fā)鎖定"機(jī)制——在1

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上海翃視科技申請(qǐng)硅基液晶芯片的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)方法及芯片專利，通過(guò)輪轉(zhuǎn)方式控制列選復(fù)用電路的選擇開(kāi)關(guān)導(dǎo)通順序驅(qū)動(dòng)像素矩陣對(duì)應(yīng)列

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，上海翃視科技有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“硅基液晶芯片的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)方法及硅基液晶芯片”的專利，公開(kāi)號(hào)CN121034243A，申請(qǐng)日期為2025年8月。專利摘要顯示，本發(fā)明揭示了一種硅基液晶芯片的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)方法及硅基液晶芯片，所述硅基液晶芯片包括一像素矩陣，所述像素矩陣具多行多列像素組成，所述硅基液晶芯片的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)方法通過(guò)行信號(hào)以行為單位對(duì)像素矩陣進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，并且所述硅基液晶芯片包括一列選復(fù)用電路，所述列選復(fù)用電路包括多個(gè)選擇開(kāi)關(guān)，每一選擇開(kāi)關(guān)與所述像素矩陣的每一列對(duì)應(yīng)，通過(guò)控制上述列選復(fù)用電路的多個(gè)選擇開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通順序而驅(qū)動(dòng)所述像素矩陣對(duì)應(yīng)的列，其中所述列選復(fù)用電路采用輪轉(zhuǎn)方式控制所述多個(gè)選擇開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通順序。天眼查資料顯示，上海翃視科技有限公司，成立于2023年，位于上海市，是一家

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經(jīng)典一鍵開(kāi)關(guān)機(jī)電路SOP-8單按鍵長(zhǎng)按1秒延時(shí)芯片國(guó)產(chǎn)復(fù)位芯片方案

EH2916-B8E6 AR開(kāi)關(guān)芯片一. 功能說(shuō)明供電方式：DC2.4-5.0V輸入。兩路輸入控制一路輸出。上電OUT為低電平，KEY鍵：長(zhǎng)按1秒開(kāi)機(jī)，OUT輸出0.5S高電平，同時(shí)7腳KILL開(kāi)始進(jìn)入檢測(cè)狀態(tài)，如果在OUT輸出的0.5S時(shí)間內(nèi)有高電平輸入到7腳KILL，則OUT繼續(xù)保持高電平輸出。如在0.5S內(nèi)無(wú)高電平輸入到7腳KILL，則OUT反轉(zhuǎn)為低電平進(jìn)入關(guān)機(jī)狀態(tài)。OUT輸出高電平過(guò)程中，長(zhǎng)按KEY鍵10秒或7腳KILL高電平消失則進(jìn)入關(guān)機(jī)。二．極限參數(shù)Absolute Maximum Ratings Voltage applied at VDD to VSS ....................- 0.3V to 6.0V Voltage applied at any pin

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威勝信息申請(qǐng)基于感算通位SOC芯片的智能開(kāi)關(guān)專利，解決了現(xiàn)有智能開(kāi)關(guān)散熱性差及通信延時(shí)大可靠性低的問(wèn)題

ES5915-654852長(zhǎng)按1.5秒開(kāi)關(guān)機(jī)芯片一．功能說(shuō)明供電范圍：DC2.0-5.0V。輕觸按鍵輸入兩路信號(hào)同步輸出：OUTH高有效、OUTL低有效。上電OUTL為高電平、OUTH為低電平，長(zhǎng)按KEY鍵 1.5秒，OUTH輸出高電平，OUTL輸出低電平，再次長(zhǎng)按KEY鍵 1.5秒關(guān)機(jī)，OUTH翻轉(zhuǎn)為低電平，OUTL翻轉(zhuǎn)為高電平。二．電氣參數(shù)（VDD=5.0V TA=25℃）工作電壓：2.0V-5.0V工作電流：1uA靜態(tài)電流：1uA驅(qū)動(dòng)電流低電平輸出：15mA驅(qū)動(dòng)電流高電平輸出：10mA工作溫度：-10攝氏度-+60攝氏度儲(chǔ)存溫度：-25攝氏度-+125攝氏度三．電路圖參考電源開(kāi)關(guān)芯片*C2電容可根據(jù)電源實(shí)際需要調(diào)整或省略四．封裝尺寸圖（SOT23-6）

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江蘇信保展機(jī)電科技取得高壓開(kāi)關(guān)三工位操作機(jī)構(gòu)間歇?jiǎng)幼鱾鲃?dòng)結(jié)構(gòu)專利，實(shí)現(xiàn)對(duì)隔離開(kāi)關(guān)、接地開(kāi)關(guān)分合閘動(dòng)作的精確控制

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，江蘇信保展機(jī)電科技有限公司取得一項(xiàng)名為“一種高壓開(kāi)關(guān)三工位操作機(jī)構(gòu)的間歇?jiǎng)幼鱾鲃?dòng)結(jié)構(gòu)”的專利，授權(quán)公告號(hào)CN223612299U，申請(qǐng)日期為2025年2月。專利摘要顯示，本實(shí)用新型公開(kāi)了一種高壓開(kāi)關(guān)三工位操作機(jī)構(gòu)的間歇?jiǎng)幼鱾鲃?dòng)結(jié)構(gòu)，包括機(jī)殼，機(jī)殼上設(shè)置有動(dòng)力傳遞部與動(dòng)力接收部，動(dòng)力傳遞部包括撥盤，撥盤上設(shè)置有鎖止弧，撥盤的兩側(cè)均設(shè)置有輥軸；動(dòng)力接收部包括槽輪板，槽輪板上固定連接有主動(dòng)齒輪，槽輪板的側(cè)壁上開(kāi)設(shè)有兩個(gè)溝槽，槽輪板的側(cè)壁上開(kāi)設(shè)有三個(gè)鎖止槽，兩個(gè)溝槽的開(kāi)口分布在三個(gè)鎖止槽之間，撥盤上設(shè)置有鎖止弧。本實(shí)用新型通過(guò)撥盤上的輥軸與槽輪板上的溝槽設(shè)計(jì)，使得撥盤在旋轉(zhuǎn)過(guò)程中能夠間歇性地驅(qū)動(dòng)槽輪板及其上的主動(dòng)齒輪轉(zhuǎn)動(dòng)。這種間歇傳動(dòng)方式實(shí)現(xiàn)了對(duì)隔離開(kāi)關(guān)、接地開(kāi)關(guān)分合閘動(dòng)作的

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H6253K寬電壓降壓恒壓芯片120V降5V 150V降5V 48V降5V DC-DC電源管理芯片原廠直供性價(jià)比高

目前市場(chǎng)上的100V以上的高壓DCDC電源芯片雖然種類繁多，但是電流普遍偏小，難以滿足一些大功率應(yīng)用的需求。針對(duì)這一市場(chǎng)痛點(diǎn)，我司特研發(fā)出了一款150V 2.5A的降壓恒壓芯片，該芯片不僅具有高電壓輸入能力，還具備大電流輸出的特點(diǎn)，能夠廣泛應(yīng)用于各種需要高功率、高效率、低功耗的電源轉(zhuǎn)換的場(chǎng)景。尤其在應(yīng)對(duì)潛在的熱拔插應(yīng)用場(chǎng)景方面有出色的表現(xiàn)。◆ 支持高耐壓150V◆ 高恒壓精度高◆ 2.5A持續(xù)大電流，低功耗◆ 高工作轉(zhuǎn)換效率，可達(dá)95%◆ 輸出電壓可調(diào)≥3.3V◆ 動(dòng)態(tài)響應(yīng)優(yōu)異，線性和負(fù)載調(diào)整良好◆ 集成軟啟動(dòng)、過(guò)流保護(hù)OCP、過(guò)熱保護(hù)OTP、短路保護(hù)SCP◆ 針對(duì)頻繁熱拔插使用場(chǎng)景有出色的表現(xiàn)

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國(guó)產(chǎn)芯片技術(shù)突破 + 存儲(chǔ)市場(chǎng)超級(jí)牛市，半導(dǎo)體板塊全線爆發(fā)，科創(chuàng)芯片 ETF（588200）表現(xiàn)強(qiáng)勢(shì)

1月8日消息，據(jù)上交所數(shù)據(jù)顯示，截至 10:02，上證指數(shù)上漲 0.04%，科創(chuàng)芯片指數(shù)上漲 2.93%，個(gè)股方面，海光信息漲超 13%，芯原股份漲超 7%，寒武紀(jì) - U 漲超 5%，華虹公司漲超 4%，晶晨股份、中芯國(guó)際等漲超 3%，滬硅產(chǎn)業(yè)漲超 2%，華海清科漲超 1%，中微公司跟漲。熱門 ETF 方面，科創(chuàng)芯片 ETF（588200）漲 3.01%，盤中成交額達(dá) 14.25 億元，換手率達(dá) 3.30%。天天基金網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示，該基金近 6 月漲 70.55%，近 1 年漲 78.20%。消息面上，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體技術(shù)取得重大突破，首條二維半導(dǎo)體工程化示范工藝線于 1 月 6 日在上海浦東川沙成功點(diǎn)亮，預(yù)計(jì)今年 6 月通線，標(biāo)志著我國(guó)在新一代芯片材料領(lǐng)域邁出關(guān)鍵一步；全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)進(jìn)入 “超級(jí)

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安測(cè)半導(dǎo)體申請(qǐng)電源芯片測(cè)試方法及裝置專利，提高了電源芯片測(cè)試的效率和準(zhǔn)確性

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，安測(cè)半導(dǎo)體技術(shù)（義烏）有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種電源芯片測(cè)試方法及裝置”的專利，公開(kāi)號(hào)CN121324898A，申請(qǐng)日期為2025年11月。專利摘要顯示，本發(fā)明屬于芯片測(cè)試（晶圓測(cè)試）領(lǐng)域，為了解決在電源芯片的測(cè)試過(guò)程中，通常需要人工連線，由于連線較多，導(dǎo)致作業(yè)效率較低，而且經(jīng)常出現(xiàn)連線錯(cuò)誤的問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種電源芯片測(cè)試方法及裝置，該裝置包括：連接單元，所述連接單元包括多個(gè)測(cè)試針，所述測(cè)試針與待測(cè)晶圓連接；探針單元，所述探針單元包括多個(gè)探針，通過(guò)探針與連接單元連接；測(cè)試電路單元，所述測(cè)試電路單元與探針單元的探針連接，用于發(fā)出測(cè)試信號(hào)；處理單元，用于根據(jù)所述測(cè)試電路單元發(fā)出的信號(hào)，對(duì)待測(cè)晶圓進(jìn)行電壓測(cè)試。本發(fā)明中連接單元直接通過(guò)探針單元與測(cè)試電路單元連接，不再需要

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眸芯科技申請(qǐng)芯片調(diào)測(cè)系統(tǒng)及方法專利，改進(jìn)了芯片回片階段的測(cè)試和調(diào)試手段

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，眸芯科技（上海）有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“芯片調(diào)測(cè)系統(tǒng)及方法”的專利，公開(kāi)號(hào)CN121210229A，申請(qǐng)日期為2025年9月。專利摘要顯示，本發(fā)明公開(kāi)了芯片調(diào)測(cè)系統(tǒng)及方法，涉及芯片開(kāi)發(fā)技術(shù)領(lǐng)域。所述系統(tǒng)包括待測(cè)芯片端和外設(shè)接口發(fā)送裝置，外設(shè)接口發(fā)送裝置設(shè)置在待測(cè)芯片端外部，與待測(cè)芯片通過(guò)管腳連接線連接，用于向待測(cè)芯片發(fā)送不同類型的低速協(xié)議激勵(lì)信號(hào)；待測(cè)芯片的內(nèi)部嵌入有協(xié)議轉(zhuǎn)換裝置，其被配置為：通過(guò)待測(cè)芯片封裝的管腳，接收外設(shè)接口發(fā)送裝置發(fā)送的低速協(xié)議激勵(lì)信號(hào)，對(duì)該激勵(lì)信號(hào)進(jìn)行解析、轉(zhuǎn)換后得到AMBA總線協(xié)議的激勵(lì)信號(hào)，再通過(guò)AMBA總線發(fā)送至待測(cè)芯片的目標(biāo)地址模塊，以對(duì)芯片的目標(biāo)模塊寄存器進(jìn)行訪問(wèn)。本發(fā)明改進(jìn)了芯片回片階段的測(cè)試和調(diào)試手段，可以對(duì)傳統(tǒng)調(diào)測(cè)方案進(jìn)行補(bǔ)充或替

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