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三華電源取得寬范圍過流保護(hù)電路及開關(guān)電源專利，提高了電路的可靠性

國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，深圳市三華電源科技有限公司取得一項(xiàng)名為“寬范圍過流保護(hù)電路及開關(guān)電源”的專利，授權(quán)公告號(hào)CN223771776U，申請日期為2024年12月。專利摘要顯示，本申請公開了一種寬范圍過流保護(hù)電路及開關(guān)電源，涉及開關(guān)電源過流保護(hù)領(lǐng)域，所述電路包括：采樣模塊、比較模塊和驅(qū)動(dòng)模塊，比較模塊與采樣模塊和驅(qū)動(dòng)模塊相連，驅(qū)動(dòng)模塊與開關(guān)電源的控制芯片相連，采樣模塊與次級(jí)電路相連，采樣模塊采樣次級(jí)電路的電流信號(hào)并將其轉(zhuǎn)換為第一電壓信號(hào)，發(fā)送至比較模塊，比較模塊接收第一電壓信號(hào)并在其大于預(yù)設(shè)閾值時(shí)，發(fā)送過流信號(hào)至驅(qū)動(dòng)模塊，驅(qū)動(dòng)模塊在接收到過流信號(hào)時(shí)，導(dǎo)通控制芯片的軟啟動(dòng)引腳與地之間電路的連接。與傳統(tǒng)開關(guān)電源通過初級(jí)電路的電源控制芯片檢測功率開關(guān)管的輸出進(jìn)行過流保護(hù)相比，本申請應(yīng)用于開關(guān)電源

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金升陽申請控制方法及開關(guān)電源專利，減小電源系統(tǒng)的成本及體積

國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，廣州金升陽科技有限公司申請一項(xiàng)名為“一種控制方法、控制裝置及開關(guān)電源”的專利，公開號(hào)CN121417646A，申請日期為2025年10月。專利摘要顯示，本發(fā)明公開了一種控制方法、控制裝置及開關(guān)電源，控制方法應(yīng)用于電流饋電方式的升降壓級(jí)聯(lián)電路，升降壓級(jí)聯(lián)電路包括前級(jí)升降壓電路和后級(jí)隔離開關(guān)電源電路；前級(jí)升降壓電路包括主開關(guān)管、同步開關(guān)管和電感，采用降壓電路的連接方式；后級(jí)隔離開關(guān)電源電路包括原邊開關(guān)電路、變壓器和副邊開關(guān)電路；原邊開關(guān)電路為推挽或者全橋電路，至少包括交替導(dǎo)通的第一和第二原邊開關(guān)管，且第一和第二原邊開關(guān)管存在第一共同導(dǎo)通時(shí)間；副邊開關(guān)電路為全橋整流電路，包括第一和第二橋臂低電位端開關(guān)管；控制方法包括：在第一共同導(dǎo)通時(shí)間結(jié)束后，第一和第二橋臂低電位端開關(guān)管存

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西安芯動(dòng)微電子申請電源外殼結(jié)構(gòu)及其開關(guān)電源專利，實(shí)現(xiàn)靈活調(diào)節(jié)散熱

國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，西安芯動(dòng)微電子科技有限公司申請一項(xiàng)名為“一種電源外殼結(jié)構(gòu)及其開關(guān)電源”的專利，公開號(hào)CN121442643A，申請日期為2025年11月。專利摘要顯示，本發(fā)明涉及開關(guān)電源設(shè)備領(lǐng)域，尤其涉及一種電源外殼結(jié)構(gòu)及其開關(guān)電源，包括殼體，所述殼體內(nèi)中部兩側(cè)均安裝有側(cè)板，所述側(cè)板相靠近的一側(cè)均設(shè)置有盤環(huán)管，所述盤環(huán)管中部兩側(cè)均安裝有固定架一，所述盤環(huán)管均通過固定架一安裝在側(cè)板相靠近的一側(cè)，所述盤環(huán)管內(nèi)部均設(shè)置有熱敏氣體，所述側(cè)板之間后側(cè)固定連接有安裝板，所述安裝板中部轉(zhuǎn)動(dòng)連接有轉(zhuǎn)環(huán)，所述轉(zhuǎn)環(huán)內(nèi)側(cè)中部安裝有風(fēng)扇殼，所述風(fēng)扇殼內(nèi)部安裝有電動(dòng)風(fēng)扇，本發(fā)明通過開關(guān)電源組件兩側(cè)側(cè)板上的盤環(huán)管能夠?qū)崿F(xiàn)對殼體內(nèi)開關(guān)電源組件熱量的監(jiān)測與吸收，使得電動(dòng)風(fēng)扇能夠同步偏轉(zhuǎn)，使得電動(dòng)風(fēng)扇內(nèi)部的電動(dòng)風(fēng)扇能

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威勝信息申請基于感算通位SOC芯片的智能開關(guān)專利，解決了現(xiàn)有智能開關(guān)散熱性差及通信延時(shí)大可靠性低的問題

ES5915-654852長按1.5秒開關(guān)機(jī)芯片一．功能說明供電范圍：DC2.0-5.0V。輕觸按鍵輸入兩路信號(hào)同步輸出：OUTH高有效、OUTL低有效。上電OUTL為高電平、OUTH為低電平，長按KEY鍵 1.5秒，OUTH輸出高電平，OUTL輸出低電平，再次長按KEY鍵 1.5秒關(guān)機(jī)，OUTH翻轉(zhuǎn)為低電平，OUTL翻轉(zhuǎn)為高電平。二．電氣參數(shù)（VDD=5.0V TA=25℃）工作電壓：2.0V-5.0V工作電流：1uA靜態(tài)電流：1uA驅(qū)動(dòng)電流低電平輸出：15mA驅(qū)動(dòng)電流高電平輸出：10mA工作溫度：-10攝氏度-+60攝氏度儲(chǔ)存溫度：-25攝氏度-+125攝氏度三．電路圖參考電源開關(guān)芯片*C2電容可根據(jù)電源實(shí)際需要調(diào)整或省略四．封裝尺寸圖（SOT23-6）

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萬勝智能申請基于智能電能表線性電源的負(fù)荷開關(guān)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)及方法專利，能驅(qū)動(dòng)大功率負(fù)荷開關(guān)可靠動(dòng)作

國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，浙江萬勝智能科技股份有限公司申請一項(xiàng)名為“基于智能電能表線性電源的負(fù)荷開關(guān)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)及方法”的專利，公開號(hào)CN121333071A，申請日期為2025年8月。專利摘要顯示，本發(fā)明涉及智能電能表電源技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及基于智能電能表線性電源的負(fù)荷開關(guān)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)及方法，線性電源模塊將交流電壓隔離降壓、整流濾波，輸出第一直流電壓，此電壓經(jīng)DC?DC降壓模塊得到第二直流電壓，第二直流電壓給MCU微控制器供電外還給法拉電容儲(chǔ)能模塊恒壓充電，能在短時(shí)間內(nèi)完成儲(chǔ)能模塊充電，當(dāng)電能表MCU微控制器接收到“合閘/分閘”指令時(shí)，控制模塊發(fā)出升壓使能信號(hào)，DC?DC升壓模塊啟動(dòng)，將法拉電容端電壓泵升至第三直流電壓，驅(qū)動(dòng)模塊輸出大電流脈沖驅(qū)動(dòng)大功率負(fù)荷開關(guān)可靠動(dòng)作，動(dòng)作完成，DC?DC升壓模塊關(guān)閉

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廈門廈華科技取得自動(dòng)開關(guān)假負(fù)載電路專利，能有效抑制開關(guān)電源的輸出電壓飄高

國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，廈門廈華科技有限公司取得一項(xiàng)名為“自動(dòng)開關(guān)假負(fù)載電路”的專利，授權(quán)公告號(hào)CN223816095U，申請日期為2024年11月。專利摘要顯示，本實(shí)用新型公開了一種自動(dòng)開關(guān)假負(fù)載電路，其包括電壓采樣單元、電子開關(guān)單元和假負(fù)載單元；電壓采樣單元的輸入端和電子開關(guān)單元的輸入端連接該自動(dòng)開關(guān)假負(fù)載電路的接入端，該自動(dòng)開關(guān)假負(fù)載電路的接入端用于連接開關(guān)電源的輸出端；電壓采樣單元的輸出端連接電子開關(guān)單元的控制端，電子開關(guān)單元的輸出端連接假負(fù)載單元的輸入端，假負(fù)載單元的輸出端接地。本實(shí)用新型能有效抑制開關(guān)電源的輸出電壓飄高，同時(shí)能減少開關(guān)電源的功耗。天眼查資料顯示，廈門廈華科技有限公司，成立于2014年，位于廈門市，是一家以從事計(jì)算機(jī)、通信和其他電子設(shè)備制造業(yè)為主的企業(yè)。企業(yè)注冊資本

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江蘇信保展機(jī)電科技取得高壓開關(guān)三工位操作機(jī)構(gòu)間歇?jiǎng)幼鱾鲃?dòng)結(jié)構(gòu)專利，實(shí)現(xiàn)對隔離開關(guān)、接地開關(guān)分合閘動(dòng)作的精確控制

國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，江蘇信保展機(jī)電科技有限公司取得一項(xiàng)名為“一種高壓開關(guān)三工位操作機(jī)構(gòu)的間歇?jiǎng)幼鱾鲃?dòng)結(jié)構(gòu)”的專利，授權(quán)公告號(hào)CN223612299U，申請日期為2025年2月。專利摘要顯示，本實(shí)用新型公開了一種高壓開關(guān)三工位操作機(jī)構(gòu)的間歇?jiǎng)幼鱾鲃?dòng)結(jié)構(gòu)，包括機(jī)殼，機(jī)殼上設(shè)置有動(dòng)力傳遞部與動(dòng)力接收部，動(dòng)力傳遞部包括撥盤，撥盤上設(shè)置有鎖止弧，撥盤的兩側(cè)均設(shè)置有輥軸；動(dòng)力接收部包括槽輪板，槽輪板上固定連接有主動(dòng)齒輪，槽輪板的側(cè)壁上開設(shè)有兩個(gè)溝槽，槽輪板的側(cè)壁上開設(shè)有三個(gè)鎖止槽，兩個(gè)溝槽的開口分布在三個(gè)鎖止槽之間，撥盤上設(shè)置有鎖止弧。本實(shí)用新型通過撥盤上的輥軸與槽輪板上的溝槽設(shè)計(jì)，使得撥盤在旋轉(zhuǎn)過程中能夠間歇性地驅(qū)動(dòng)槽輪板及其上的主動(dòng)齒輪轉(zhuǎn)動(dòng)。這種間歇傳動(dòng)方式實(shí)現(xiàn)了對隔離開關(guān)、接地開關(guān)分合閘動(dòng)作的

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國產(chǎn)芯片技術(shù)突破 + 存儲(chǔ)市場超級(jí)牛市，半導(dǎo)體板塊全線爆發(fā)，科創(chuàng)芯片 ETF（588200）表現(xiàn)強(qiáng)勢

1月8日消息，據(jù)上交所數(shù)據(jù)顯示，截至 10:02，上證指數(shù)上漲 0.04%，科創(chuàng)芯片指數(shù)上漲 2.93%，個(gè)股方面，海光信息漲超 13%，芯原股份漲超 7%，寒武紀(jì) - U 漲超 5%，華虹公司漲超 4%，晶晨股份、中芯國際等漲超 3%，滬硅產(chǎn)業(yè)漲超 2%，華海清科漲超 1%，中微公司跟漲。熱門 ETF 方面，科創(chuàng)芯片 ETF（588200）漲 3.01%，盤中成交額達(dá) 14.25 億元，換手率達(dá) 3.30%。天天基金網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示，該基金近 6 月漲 70.55%，近 1 年漲 78.20%。消息面上，國內(nèi)半導(dǎo)體技術(shù)取得重大突破，首條二維半導(dǎo)體工程化示范工藝線于 1 月 6 日在上海浦東川沙成功點(diǎn)亮，預(yù)計(jì)今年 6 月通線，標(biāo)志著我國在新一代芯片材料領(lǐng)域邁出關(guān)鍵一步；全球存儲(chǔ)芯片市場進(jìn)入 “超級(jí)

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眸芯科技申請芯片調(diào)測系統(tǒng)及方法專利，改進(jìn)了芯片回片階段的測試和調(diào)試手段

國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，眸芯科技（上海）有限公司申請一項(xiàng)名為“芯片調(diào)測系統(tǒng)及方法”的專利，公開號(hào)CN121210229A，申請日期為2025年9月。專利摘要顯示，本發(fā)明公開了芯片調(diào)測系統(tǒng)及方法，涉及芯片開發(fā)技術(shù)領(lǐng)域。所述系統(tǒng)包括待測芯片端和外設(shè)接口發(fā)送裝置，外設(shè)接口發(fā)送裝置設(shè)置在待測芯片端外部，與待測芯片通過管腳連接線連接，用于向待測芯片發(fā)送不同類型的低速協(xié)議激勵(lì)信號(hào)；待測芯片的內(nèi)部嵌入有協(xié)議轉(zhuǎn)換裝置，其被配置為：通過待測芯片封裝的管腳，接收外設(shè)接口發(fā)送裝置發(fā)送的低速協(xié)議激勵(lì)信號(hào)，對該激勵(lì)信號(hào)進(jìn)行解析、轉(zhuǎn)換后得到AMBA總線協(xié)議的激勵(lì)信號(hào)，再通過AMBA總線發(fā)送至待測芯片的目標(biāo)地址模塊，以對芯片的目標(biāo)模塊寄存器進(jìn)行訪問。本發(fā)明改進(jìn)了芯片回片階段的測試和調(diào)試手段，可以對傳統(tǒng)調(diào)測方案進(jìn)行補(bǔ)充或替

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全球存儲(chǔ)芯片供應(yīng)持續(xù)緊張！科創(chuàng)芯片ETF（588200）漲超2%！

1月7日，據(jù)上交所數(shù)據(jù)顯示，截至09:58，上證指數(shù)上漲0.14%，科創(chuàng)芯片指數(shù)上漲2.13%，個(gè)股方面，中微公司漲超6%，瀾起科技漲超4%，華海清科漲超3%，滬硅產(chǎn)業(yè)漲超2%，華虹公司漲超1%。熱門ETF方面，科創(chuàng)芯片ETF（588200）漲2.04%，盤中成交額達(dá)12.90億元，換手率達(dá)2.99%。天天基金網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示，該基金近6月漲65.69%。消息面上，全球存儲(chǔ)芯片供應(yīng)持續(xù)緊張、價(jià)格飆升，三星電子與SK海力士計(jì)劃2026年第一季度將服務(wù)器DRAM價(jià)格較2025年第四季度提升60%至70%，PC及智能手機(jī)用DRAM同步漲價(jià)，NAND Flash合約價(jià)預(yù)計(jì)持續(xù)上漲33-38%，2025 年DDR4 16Gb漲幅高達(dá)1800%，DDR5 16Gb漲幅達(dá)500%，行業(yè)預(yù)計(jì)2027年前存儲(chǔ)芯片價(jià)

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